[发明专利]像素结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810372612.1 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110098219A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 史文 | 申请（专利权）人： | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王雯雯 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平坦层 像素电极层 像素结构 上表面 基板 像素界定层 图案化 制备 封闭连接 隔断 产能 开口 贯穿 覆盖 | ||
1.一种像素结构，其特征在于，包括基板、平坦层、像素电极层以及像素界定层；
所述平坦层连接在所述基板上，所述平坦层的上表面图案化有多个凹槽以及多个连接过孔，所述连接过孔从所述平坦层的上表面贯穿至所述基板；
所述像素电极层连接在所述凹槽外侧且位于所述平坦层的上表面上，并且所述像素电极层覆盖所述连接过孔；
所述像素界定层位于所述连接过孔处的像素电极层上。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述凹槽的深度为50nm-150nm，所述凹槽的槽口的直径为6μm-20μm。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述平坦层的材料为有机光阻材料或无机材料。
4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述平坦层的材料包括氧化硅和/或氮化硅。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极层为透明导电膜层。
6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极为导电金属氧化物和/或高导有机导电材料。
7.根据权利要求1-4任意一项所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极层为反射型导电膜层。
8.根据权利要求7所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极为高导电金属薄膜材料。
9.根据权利要求1-3任意一项所述的像素结构，其特征在于，所述像素界定层为疏液性像素界定层。
10.一种像素结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基板上沉积一层平坦层；
对所述平坦层的上表面进行图案化，使得所述平坦层的上表面形成多个凹槽以及多个连接过孔，所述连接过孔从所述平坦层的上表面贯穿至所述基板；
在所述平坦层上制备像素电极层，使所述像素电极层覆盖所述平坦层的上表面和所述连接过孔；
对所述像素电极层进行图案化，使各个所述凹槽处的所述像素电极层均隔断；
在各个所述连接过孔处的像素电极层上制备像素界定层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
