[发明专利]像素结构及其制备方法

说明书

本发明公开了一种像素结构及其制备方法。像素结构包括基板、平坦层、像素电极层以及像素界定层；平坦层连接在所述基板上，平坦层的上表面图案化有多个凹槽以及多个连接过孔，连接过孔从所述平坦层上表面贯穿至基板；像素电极层连接在平坦层的上表面上，并且像素电极层封闭连接过孔朝向平坦层的开口，位于连接过孔内的像素电极层连接平坦层，像素电极层与各个凹槽对应的部分均图案化形成隔断。像素界定层覆盖在连接过孔内并与像素电极层连接。该像素结构成本低和产能高。

技术领域

本发明涉及印刷工艺领域，特别是涉及一种像素结构及其制备方法。

背景技术

目前，印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。在目前的印刷工艺中，通过像素排列结构的优化，将相邻像素相同颜色子像素集中在一起，采用双层像素bank(bank也即像素界定层)结构，其中第一层像素bank覆盖像素电极边缘区防止后期工作时产生尖端放电导致短路，第二层像素bank围成墨水沉积区，从而扩大墨水的沉积区域，实现高分辨率显示器的制备。但是，采用这种结构需要进行两次像素bank的图形化工艺，增加了制程时间以及制作成本。

发明内容

基于此，有必要提供一种有利于降低成本的像素结构及其制备方法。

一种像素结构，包括基板、平坦层、像素电极层以及像素界定层；

所述平坦层连接在所述基板上，所述平坦层的上表面图案化有多个凹槽以及多个连接过孔，所述连接过孔从所述平坦层上表面贯穿至所述基板；

所述像素电极层连接在所述凹槽外侧且位于所述平坦层的上表面上，并且所述像素电极层覆盖所述连接过孔；

所述像素界定层位于所述连接过孔处的像素电极层上。

在其中一个实施例中，所述凹槽的深度为50nm-150nm，所述凹槽的槽口的直径为6μm-20μm。

在其中一个实施例中，所述平坦层的材料为有机光阻材料或无机材料。

在其中一个实施例中，所述平坦层的材料包括氧化硅和/或氮化硅。

在其中一个实施例中，所述像素电极层为透明导电膜层。

在其中一个实施例中，所述像素电极为导电金属氧化物和/或高导有机导电材料。

在其中一个实施例中，所述像素电极层为反射型导电膜层。

在其中一个实施例中，所述像素电极为高导电金属薄膜材料。

在其中一个实施例中，所述像素界定层为疏液性像素界定层。

一种像素结构的制备方法，包括如下步骤：

在基板上沉积一层平坦层；

对所述平坦层的上表面进行图案化，使得所述平坦层的上表面形成多个凹槽以及多个连接过孔，所述连接过孔从所述平坦层的上表面贯穿至所述基板；

在所述平坦层上制备像素电极层，使所述像素电极层覆盖所述平坦层的上表面和所述连接过孔；

对所述像素电极层进行图案化，使各个所述凹槽处的所述像素电极层均隔断；

在各个所述连接过孔处的像素电极层上制备像素界定层。

上述像素结构通过平坦层的图案化形成多个凹槽，平坦层上连接在像素电极层，减少了常规像素结构中第一层像素界定层的制备，节约了生产所需的材料；上述像素结构通过像素电极层图案化将像素电极层位于凹槽内的部分隔断以避免像素电极层在后期工作过程中由于尖端放电导致的短路现象。上述像素结构生产所需的材料比常规的像素结构少，减少了生产所需的成本，提高了经济效益。