[发明专利]用于确定填充水平的方法和填充水平测量设备

权利要求书

1.用于利用填充水平测量设备（2）来确定布置在容器（3）中的过程介质（4、4a、4b）的填充水平的方法（1），其中，所述填充水平测量设备（2）构型为TDR填充水平测量设备，其中，所述填充水平测量设备（2）具有至少一个用于引导电磁信号的信号线（5）、信号线头部（6）和电子单元（7），其中，所述信号线（5）伸入到所述过程介质（4、4a、4b）中，并且其中，所述方法（1）至少包括下述步骤：

- 通过所述电子单元（7）产生（10）具有振幅A_S的脉冲形发送信号，其中，所述发送信号作为可变振幅的测量信号沿着所述信号线（5）传播，

- 通过所述电子单元（7）检测并且评估（11）具有振幅A_refl的至少一个反射信号，其中，所述反射信号对应于所述测量信号在第一介质与第二介质之间的界面处的反射，其中，所述第一介质具有第一阻抗z₀，所述第二介质具有第二阻抗z₁，

其中，所述第二介质的相对介电常数ε_r至少根据穿过所述第一介质传送的测量信号的振幅和所述反射信号的振幅A_refl来确定，

其中，所述信号线头部（6）经由过程连接部（9）与所述容器（3）连接；所述第二介质是气态介质（8），所述气态介质布置在所述过程介质（4、4a、4b）上方；并且，所述测量信号在所述过程连接部（9）与所述容器（3）的内部的界面处发生反射，

其中，根据下述公式来确定（12）所述气态介质（8）的相对介电常数ε_r,gas:

，

其中，A_fl是在所述过程连接部（9）与所述容器（3）的内部的界面处反射的反射信号的振幅，其中，A_S是所产生的发送信号的振幅，其中，α₀表征所述测量信号在所述信号线头部（6）内的衰减，其中，z_{1_gas}是在所述过程介质（4、4a、4b）上方的气态介质（8）的阻抗，并且其中，z_{0_SK}是所述信号线头部（6）的阻抗。

2.根据权利要求1所述的方法（1），其特征在于，所述穿过所述第一介质传送的测量信号在考虑由于沿着所述信号线（5）传播和/或由于在另外的界面处的至少一个另外的反射而造成的衰减的情况下由所述发送信号产生。

3.根据权利要求1或者2所述的方法（1），其特征在于，为了确定所述第二介质的相对介电常数ε_r附加地考虑所述第一阻抗z₀与所述第二阻抗z₁的比例。