[发明专利]法拉第屏蔽桶、环形件、腔室组件及重溅射腔室

权利要求书

1.一种法拉第屏蔽桶，用于与接地的环形件绝缘设置，所述法拉第屏蔽筒置于所述环形件上，且二者之间形成有间隙，其特征在于，所述间隙具有能够防止等离子体进入该间隙的深宽比；

所述法拉第屏蔽桶下表面的内环区域形成有环形挡墙，所述环形挡墙的外周壁与所述环形件的内周壁在轴向上形成所述间隙；

在所述法拉第屏蔽桶的与所述环形件形成间隙的位置处形成有辅助结构，所述辅助结构用于减少所述法拉第屏蔽桶和所述环形件之间形成的分布电容的平行板正对面积与平行板间距离之间的比值，以减小所述分布电容的容值大小。

2.根据权利要求1所述的法拉第屏蔽桶，其特征在于，所述辅助结构为在所述环形挡墙上沿其轴向设置的多个环形凹部；每个所述环形凹部的底面正对所述环形件，以增大所述平行板间距离。

3.根据权利要求2所述的法拉第屏蔽桶，其特征在于，所述环形凹部沿所述轴向的截面轮廓形状为规则图形。

4.根据权利要求1所述的法拉第屏蔽桶，其特征在于，所述辅助结构为相对所述法拉第屏蔽桶轴向倾斜的所述环形挡墙的外周壁，以增大所述平行板间距离。

5.根据权利要求1所述的法拉第屏蔽桶，其特征在于，所述辅助结构为依次连续形成有多个台阶的所述环形挡墙的外周壁，以增大所述平行板间距离。

6.一种环形件，用于与法拉第屏蔽桶绝缘设置，所述法拉第屏蔽筒置于所述环形件上，且二者之间形成有间隙，其特征在于，所述间隙具有能够防止等离子体进入该间隙的深宽比；

所述法拉第屏蔽桶下表面的内环区域形成有环形挡墙，所述环形挡墙的外周壁与所述环形件的内周壁在轴向上形成所述间隙；在所述环形件的与所述法拉第屏蔽桶形成间隙的位置处形成有辅助结构，所述辅助结构用于减少环形件与所述法拉第屏蔽桶之间形成的分布电容的平行板正对面积与平行板间距离之间的比值，以减小所述分布电容的容值大小。

7.根据权利要求6所述的环形件，其特征在于，所述辅助结构为在所述环形件上沿其轴向设置的多个环形凹部；每个所述环形凹部的底面正对所述法拉第屏蔽桶，以增大所述平行板间距离。

8.根据权利要求7所述的环形件，其特征在于，所述环形凹部沿所述轴向的截面轮廓形状为规则图形。

9.根据权利要求6所述的环形件，其特征在于，所述辅助结构为相对所述轴向倾斜的所述环形件的内周壁，以增大所述平行板间距离。

10.根据权利要求6所述的环形件，其特征在于，所述辅助结构为依次连续形成有多个台阶的所述环形件的内周壁，以增大所述平行板间距离。

11.一种腔室组件，包括法拉第屏蔽桶和接地的环形件，且二者绝缘设置；其特征在于，所述法拉第屏蔽桶采用权利要求1-5任意一项所述的所述法拉第屏蔽桶；和/或

所述环形件采用权利要求6-10任意一项所述的环形件。

12.根据权利要求11所述的腔室组件，其特征在于，所述环形件的辅助结构和所述法拉第屏蔽桶的辅助结构以轴对称方式相对设置。

13.根据权利要求11所述的腔室组件，其特征在于，所述环形件的数量为两个，为上环形件和下环形件；

所述上环形件和所述下环形件分别与所述法拉第屏蔽桶的上端和下端绝缘设置。

14.一种重溅射腔室，包括腔室组件，其特征在于，所述腔室组件采用权利要求11-13任意一项所述的腔室组件。