[发明专利]成膜机台及成膜制程调整基板偏转量的方法有效
申请号: | 201810374882.6 | 申请日: | 2018-04-24 |
公开(公告)号: | CN108315721B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 张恺 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/52;C23C16/513;C23C16/04 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;李雯雯 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 机台 成膜制程 调整 偏转 方法 | ||
本发明提供一种成膜机台及成膜制程调整基板偏转量的方法。该成膜机台在载台(3)下方设置用于带动所述载台(3)进行转动的旋转机构(M),当基板(9)相对于载台(3)及掩模板(5)发生偏转后,通过控制所述旋转机构(M)带动所述载台(3)及掩模板(5)做旋转调整即可便捷快速地调整基板(9)相对于载台(3)及掩模板(5)的位置,使得基板(9)相对于载台(3)及掩模板(5)无偏转,调整的过程无需升降温及打开真空腔室(1),能够节省时间、人力与物力,提高生产效率。
技术领域
本发明涉及显示器制作技术领域,尤其涉及一种成膜机台及成膜制程调整基板偏转量的方法。
背景技术
在液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD)及有机发光二极管显示面板(Organic Light Emitting Diode,OLED)的制作过程中,需要多次进行成膜制程,即在基板上沉积出特定材料的薄膜。
在LCD显示面板及OLED显示面板的实际生产过程中常采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)工艺来实施成膜制程。PECVD工艺是将反应气体导入反应器中,在热能、电能或光能的作用下发生解离而变成活性极强的离子或离子团,离子或离子团通过扩散方式到达基板表面发生化学反应生成固态产物并沉积在基板表面形成薄膜,在该过程中,成膜用的真空腔室内会产生活性较强的等离子体(Plasma)来促进化学反应、辅助成膜。
PECVD成膜制程在成膜机台内进行。请同时参阅图1与图2,现有的成膜机台包括真空腔室100、设于所述真空腔室100内的载台(又称下电极板)300、设于所述真空腔室100内并位于所述载台300上方的掩模板500、设于所述真空腔室100内并位于所述掩模板500上方的上电极板700、数个沿上下方向贯穿所述载台300的支撑杆400以及机械手臂600。其中,所述载台300仅能做升降运动,所述支撑杆400仅能做升降运动,所述机械手臂600能够进出真空腔室100并沿前后方向与左右方向运动,所述掩模板500架在固定于所述真空腔室100的腔壁上的支撑件800上。
如图1所示,要在所述真空腔室100内放置待沉积薄膜的基板900(业内称为放片)时,所述支撑杆400升起至高于载台300上表面的位置,所述机械手臂600抓取基板900并将基板900送入真空腔室100、放置在支撑杆400上(支撑杆400与机械手臂600无干涉),然后机械手臂600收回,所述载台300开始上升托起基板900后继续上升,最后如图2所示,所述载台300带动着基板900托起掩模板500后停止上升,所述载台300、基板900与掩模板500紧密贴合,随即在所述载台300即下电极板与上电极板700的作用下开始成膜。整个过程中,该成膜机台都需要保持高温状态。
结合图2与图3,成膜时,理想的状况是:基板900与载台300及掩模板500紧密贴合且位置对中,掩模板500的内边缘与基板900的四周完全贴合,这样由于所述载台300即下电极板与上电极板700之间有掩模板500与基板900起到绝缘层的作用,能够防止成膜时发生电弧击伤(Arcing)的现象。
但是,实际的情况是,在放片时所述基板900可能会发生位置偏转,如图4所示,所述基板900偏转后与掩模板500的内边缘产生空隙,造成所述载台300即下电极板与上电极板700在所述空隙处无绝缘层隔离,会提升发生电弧击伤的风险,这样会不仅对基板900造成物理损伤,还会对所述载台300即下电极板与上电极板700造成不可逆的损伤,所以在成膜机台复机时必需确保基板900放片无偏转后才能进行生产,如果生产中发生基板900的偏转,成膜机台必须进行降温并对真空腔室100破除真空来调整所述载台300与掩模板500的位置,然后再恢复所述真空腔室100的真空状态以及升温,这个过程中升降温和开腔会耗费大量时间、人力和物力。
发明内容
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