[发明专利]单电容占空比可控振荡器

说明书

本发明公开了一种单电容占空比可控振荡器，包括第一电流源I1、第一、二、三、四、五、六、七、八NMOS管、第一电容C1、第一电阻R1、第一反相器INV1、第一、二、三、四、五、六、七PMOS管；第一电容C1为充放电电容，第四、六NMOS管构成放电支路，第三PMOS管MP3构成充电支路，调节第三、四NMOS管镜像电流源的比例即可控制输出电压的占空比。本发明通过使用两条独立支路对第一电容C1进行充放电操作，可获得任意所需占空比；通过第七、八NMOS管精确设置了电路充放电的上下翻转点，降低了电路复杂度和功耗；同时第七、八NMOS管通过对电路上下翻转点引入迟滞，提高了电路抗干扰能力。

技术领域

本发明属于电子技术领域，涉及模拟集成电路技术领域，具体的涉及一种单电容占空比可控振荡器。

背景技术

振荡器是应用在IC设计中时钟与数据恢复电路的关键模块。振荡器的占空比往往取决于振荡器内部对充放电电容进行充电以及放电电流的比例。

目前振荡器大多通过将充放电电容上电压与基准电压相比较的结果来决定进行充电或放电操作，此方法存在缺点有：1、充电或放电电流二者之一由开关管产生，使得振荡器的输出电压占空比过窄，抗干扰能力较弱。2、电路中需用到比较器，增加了电路的瞬态功耗和复杂度。

因此，亟需一种单电容占空比可控振荡器。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种单电容占空比可控振荡器。

为了达到上述目的，本发明的技术方案如下：

本发明提供一种单电容占空比可控振荡器，包括第一电流源I1、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第一电容C1、第一电阻R1、第一反相器INV1、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6和第七PMOS管MP7；

第一电容C1为充放电电容，第四NMOS管MN4与第六NMOS管MN6构成放电支路，第三PMOS管MP3构成充电支路，调节第三PMOS管MP3与第四NMOS管MN4镜像电流源的比例即可控制输出电压的占空比；

第八NMOS管MN8配合设置第二PMOS管MP2镜像电流源的比例大于第四NMOS管MP4镜像电流源的比例，用于对第一电容C1转换充放电状态时引入迟滞效果，从而增加电路的抗干扰能力；

第七PMOS管MP7用于确保在电路初始上电时C处电压为低，防止逻辑错误。