[发明专利]集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种形成集成电路的方法，所述方法包括：

通过处理器生成集成电路的布局设计，其中，生成所述布局设计包括：

生成与制造所述集成电路的栅极结构组相对应的栅极布局图案组，所述栅极布局图案组中的每个布局图案在第一方向上通过第一间距与所述栅极布局图案组中的相邻布局图案分离，所述栅极布局图案组在与所述第一方向不同的第二方向上延伸并且与网格线组重叠，所述网格线组在所述第二方向上延伸，并且所述网格线组中的每条网格线通过所述第一间距与所述网格线组中的相邻网格线分离；以及

生成在所述第一方向上延伸并且与所述栅极布局图案组重叠的切割部件布局图案；

基于所述布局设计制造所述集成电路，所述集成电路至少具有所述栅极结构组中的栅极结构；以及

去除所述栅极结构组中的栅极结构的第一部分以形成第一栅极结构和第二栅极结构，并且所述切割部件布局图案识别所述栅极结构组中的栅极结构的第一部分的位置。

2.根据权利要求1所述的形成集成电路的方法，其中，生成所述布局设计还包括：

生成与制造所述集成电路的鳍组相对应的鳍布局图案组，所述鳍布局图案组在所述第一方向上延伸并且位于所述栅极布局图案组下面，所述鳍布局图案组中的每个鳍布局图案在所述第二方向上通过鳍间距与所述鳍布局图案组中的相邻鳍布局图案分离。

3.根据权利要求1所述的形成集成电路的方法，其中，生成所述布局设计还包括：

生成有源区布局图案组，所述有源区布局图案组在所述第一方向上延伸、位于所述栅极布局图案组下面并且在所述第二方向上彼此分离，所述有源区布局图案组对应于制造所述集成电路的有源区组。

4.根据权利要求1所述的形成集成电路的方法，其中，基于所述布局设计来制造所述集成电路包括：

基于所述布局设计制造掩模组；以及

基于所述掩模组制造所述集成电路。

5.根据权利要求1所述的形成集成电路的方法，其中，所述栅极布局图案组包括：

第一组栅极布局图案，对应于制造所述集成电路的功能栅极结构组；以及

第二组栅极布局图案，对应于制造所述集成电路的非功能栅极结构组。

6.根据权利要求5所述的形成集成电路的方法，其中，

所述第一组栅极布局图案中的布局图案在所述第二方向上与所述第二组栅极布局图案中的相应布局图案对准。

7.根据权利要求6所述的形成集成电路的方法，其中，所述网格线组中的网格线与所述第一组栅极布局图案中的布局图案的中心和所述第二组栅极布局图案中的相应布局图案的中心对准。

8.根据权利要求5所述的形成集成电路的方法，其中，生成所述布局设计还包括：

生成在所述第二方向上延伸的导电部件布局图案组，所述导电部件布局图案组中的每个布局图案在所述第一方向上彼此分离，所述导电部件布局图案组对应于制造所述集成电路的导电部件组。

9.根据权利要求8所述的形成集成电路的方法，其中，所述导电部件布局图案组中的布局图案位于以下布局图案之间：

所述第一组栅极布局图案中的布局图案和所述第一组栅极布局图案中的相邻布局图案，或

所述第二组栅极布局图案中的布局图案和所述第二组栅极布局图案中的相邻布局图案。

10.根据权利要求1所述的形成集成电路的方法，其中，去除所述栅极结构的第一部分包括：

对所述栅极结构组中的栅极结构的第一部分实施蚀刻工艺。