[发明专利]一种位于衬底上的finFET及其形成方法

权利要求书

1.一种在衬底上形成鳍式场效应晶体管(finFET)的方法，所述方法包括：

在所述衬底上形成鳍结构；

在所述鳍结构上形成保护层，其中，所述保护层包括位于所述鳍结构之上的顶面；

在所述保护层上形成多晶硅结构，所述多晶硅结构包括分别具有相等的第一水平尺寸和第二水平尺寸的第一部分和第二部分，所述第一部分在所述顶面之上延伸，而所述第二部分在所述顶面之下延伸；

修改所述多晶硅结构，从而使得修改的多晶硅结构的第一部分的第一水平尺寸小于所述修改的多晶硅结构的第二部分的第二水平尺寸；以及

用栅极结构替换所述修改的多晶硅结构，其中，所述栅极结构的第一部分的第一水平尺寸小于所述栅极结构的第二部分的第二水平尺寸，其中，所述栅极结构的第一部分在所述顶面之上延伸，而所述栅极结构的第二部分在所述顶面之下延伸。

2.根据权利要求1所述的在衬底上形成鳍式场效应晶体管(finFET)的方法，其中，修改所述多晶硅结构包括：

去除所述多晶硅结构的第一部分，所述第一部分具有第一厚度；以及

去除所述多晶硅结构的第二部分，所述第二部分具有小于所述第一厚度的第二厚度。

3.根据权利要求1所述的在衬底上形成鳍式场效应晶体管(finFET)的方法，其中，修改所述多晶硅结构包括：

氧化所述多晶硅结构的第一部分，所述第一部分具有第一厚度；以及

氧化所述多晶硅结构的第二部分，所述第二部分具有小于所述第一厚度的第二厚度。

4.根据权利要求1所述的在衬底上形成鳍式场效应晶体管(finFET)的方法，其中，修改所述多晶硅结构包括：

蚀刻所述多晶硅结构的第一部分，所述第一部分具有第一厚度；以及

蚀刻所述多晶硅结构的第二部分，所述第二部分具有小于所述第一厚度的第二厚度。

5.根据权利要求4所述的在衬底上形成鳍式场效应晶体管(finFET)的方法，其中，所述第一厚度在从2nm至4nm的范围内，并且其中，所述第二厚度在从0.5nm至2nm的范围内。

6.根据权利要求1所述的在衬底上形成鳍式场效应晶体管(finFET)的方法，还包括：

在所述修改的多晶硅结构上形成间隔件；以及

在所述修改的多晶硅结构和所述间隔件上形成栅极覆盖结构。

7.根据权利要求1所述的在衬底上形成鳍式场效应晶体管(finFET)的方法，还包括：

在所述修改的多晶硅结构上形成间隔件；

在所述间隔件上形成蚀刻停止层；以及

在所述修改的多晶硅结构、所述间隔件和所述蚀刻停止层上形成栅极覆盖结构。

8.根据权利要求1所述的在衬底上形成鳍式场效应晶体管(finFET)的方法，其中，用所述栅极结构替换所述修改的多晶硅结构包括；

去除所述修改的多晶硅结构；

蚀刻所述保护层的由去除所述多晶硅结构暴露的部分；以及

在所述保护层的所述部分上形成栅极结构，从而使得所述栅极结构的第一部分的第一水平尺寸小于所述栅极结构的第二部分的第二水平尺寸。

9.根据权利要求1所述的在衬底上形成鳍式场效应晶体管(finFET)的方法，其中，形成所述多晶硅结构包括：

在所述保护层上沉积多晶硅层；以及

分别以第一蚀刻速率和第二蚀刻速率蚀刻所述多晶硅层的第一部分和第二部分，所述第一蚀刻速率大于所述第二蚀刻速率。