[发明专利]一种位于衬底上的finFET及其形成方法

说明书

在衬底上形成鳍式场效应晶体管(finFET)的方法包括在衬底上形成鳍结构，在鳍结构上形成氧化物层以及在氧化物层上形成多晶硅结构。该方法还包括修改多晶硅结构，从而使得修改的多晶硅结构的第一部分的第一水平尺寸小于修改的多晶硅结构的第二部分的第二水平尺寸。该方法还包括用栅极结构替换修改的多晶硅结构，其中，所述栅极结构的第一部分的第一水平尺寸小于所述栅极结构的第二部分的第二水平尺寸。

技术领域

本发明实施例涉及一种finFET及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的进步，对更高的存储容量、更快的处理系统、更高的性能和更低的成本的需求不断增加。为了满足这些需求，半导体工业持续按比例缩小半导体器件的尺寸，诸如包括平面MOSFET和鳍式场效应晶体管(finFET)的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种按比例缩小已经增加了半导体制造工艺的复杂性。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种在衬底上形成鳍式场效应晶体管(finFET)的方法，所述方法包括：在所述衬底上形成鳍结构；在所述鳍结构上形成保护层，其中，所述保护层包括位于所述鳍结构之上的顶面；在所述保护层上形成多晶硅结构；修改所述多晶硅结构，从而使得修改的多晶硅结构的第一部分的第一水平尺寸小于所述修改的多晶硅结构的第二部分的第二水平尺寸，其中，所述修改的多晶硅结构的第一部分在所述顶面之上延伸，而所述修改的多晶硅结构的第二部分在所述顶面之下延伸；以及用栅极结构替换所述修改的多晶硅结构，其中，所述栅极结构的第一部分的第一水平尺寸小于所述栅极结构的第二部分的第二水平尺寸，其中，所述栅极结构的第一部分在所述顶面之上延伸，而所述栅极结构的第二部分在所述顶面之下延伸。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种在衬底上形成鳍式场效应晶体管(finFET)的方法，所述方法包括：在所述衬底上形成鳍结构；在所述鳍结构上形成氧化物层；在所述氧化物层上形成多晶硅结构；修改所述多晶硅结构，从而使得修改的多晶硅结构的第一部分的第一水平尺寸小于所述修改的多晶硅结构的第二部分的第二水平尺寸；以及用栅极结构替换所述修改的多晶硅结构。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种位于衬底上的鳍式场效应晶体管(finFET)，所述鳍式场效应晶体管包括：鳍结构，位于所述衬底上；外延源极/漏极区域，位于所述鳍结构上；栅极结构，具有第一部分和第二部分，其中：所述第一部分的第一水平尺寸小于所述第二部分的第二水平尺寸，所述第一部分位于所述鳍结构的顶面之上，和所述第二部分位于所述鳍结构的顶面之下；以及源极/漏极接触结构，位于所述外延源极/漏极区域上，所述源极/漏极接触结构具有阻挡层，所述阻挡层被配置为防止所述源极/漏极接触结构和所述栅极结构之间的电短路。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A至图1B是根据一些实施例的鳍式场效应晶体管(finFET)的等轴视图。

图2是根据一些实施例的用于制造finFET的方法的流程图。

图3A至图9A是根据一些实施例的处于其制造工艺的各个阶段的finFET的等轴视图。

图3B至图9B是根据一些实施例的处于其制造工艺的各个阶段的finFET的等轴视图。

将参照随后的附图描述示出的实施例。在附图中，相同的参考标号通常表示相同的、功能类似的和/或结构类似的元件。

具体实施方式