[发明专利]一种OLED器件的封装结构及封装方法有效
申请号: | 201810378186.2 | 申请日: | 2018-04-25 |
公开(公告)号: | CN108539044B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 张兴永 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 器件 封装 结构 方法 | ||
1.一种OLED器件的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括至少一组薄膜,所述至少一组薄膜封装在待封装OLED器件上,每组薄膜包括层叠设置在所述待封装OLED器件上的第一无机层、第一有机加固层、有机层、第二有机加固层、第二无机层;其中,
所述第一有机加固层和所述第二有机加固层中均含有有机氟化物;
当所述第一无机层和第二无机层的材料为氧化硅时,所述第一有机加固层和第二有机加固层均为有机氟化物层,所述第一有机加固层与所述第一无机层通过化学键紧密结合,所述第二有机加固层与所述第二无机层通过化学键紧密结合;
当所述第一无机层和第二无机层的材料不为氧化硅时,所述第一有机加固层和所述第二有机加固层均包括氧化硅层和有机氟化物层;其中,在所述第一有机加固层中,所述氧化硅层为第一氧化硅层,所述有机氟化物层为第一有机氟化物层;在第二有机加固层中,所述氧化硅层为第二氧化硅层,所述有机氟化物层为第二有机氟化物层,所述第一有机加固层和所述第二有机加固层通过所述氧化硅层和所述有机氟化物层之间的化学键紧密结合。
2.根据权利要求1所述的OLED器件的封装结构,其特征在于,当所述第一无机层和第二无机层的材料不为氧化硅时,所述第一氧化硅层靠近所述第一无机层设置,所述第一有机氟化物层靠近所述有机层设置。
3.根据权利要求1所述的OLED器件的封装结构,其特征在于,当所述第一无机层和第二无机层的材料不为氧化硅时,所述第二氧化硅层靠近所述第二无机层设置,所述第二有机氟化物层靠近所述有机层设置。
4.根据权利要求2-3任一项所述的OLED器件的封装结构,其特征在于,所述第一氧化硅层和第二氧化硅层的厚度均介于0.1微米-0.2微米之间,所述第一有机氟化物层和所述第二有机氟化物层的厚度均介于10纳米-30纳米之间。
5.一种OLED器件的封装方法,其特征在于,所述封装方法包括:
在待封装OLED器件上形成至少一组薄膜,每组薄膜包括层叠设置在所述待封装OLED器件上的第一无机层、第一有机加固层、有机层、第二有机加固层、第二无机层;其中,
所述第一有机加固层和所述第二有机加固层中均含有有机氟化物;
当所述第一无机层和第二无机层的材料为氧化硅时,所述第一有机加固层和第二有机加固层均为有机氟化物层,所述第一有机加固层与所述第一无机层通过化学键紧密结合,所述第二有机加固层与所述第二无机层通过化学键紧密结合;
当所述第一无机层和第二无机层的材料不为氧化硅时,所述第一有机加固层和所述第二有机加固层均包括氧化硅层和有机氟化物层;其中,在所述第一有机加固层中,所述氧化硅层为第一氧化硅层,所述有机氟化物层为第一有机氟化物层;在第二有机加固层中,所述氧化硅层为第二氧化硅层,所述有机氟化物层为第二有机氟化物层,所述第一有机加固层和所述第二有机加固层通过所述氧化硅层和所述有机氟化物层之间的化学键紧密结合。
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