[发明专利]动态随机存取存储器的制造方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：提供一半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上表面的多层膜结构以及位于所述多层膜结构上表面的接触焊盘；

S2：在所述半导体结构上形成一覆盖所述接触焊盘的钝化层；

S3：在所述钝化层上依次形成第一牺牲层、第一支撑层、第二牺牲层及第二支撑层；

S4：形成上下贯穿所述第二支撑层、第二牺牲层、第一支撑层、第一牺牲层及所述钝化层的多个通孔，每个通孔分别位于一个所述接触焊盘的正上方，并暴露出所述接触焊盘的上表面；

S5：在所述通孔的侧壁及底部形成第一导电材料层；

S6：形成多个上下贯穿所述第二支撑层的开口，所述开口暴露出所述第二牺牲层的一部分，并且在打开所述开口的同时形成所述开口的周围布局；

S7：以所述开口为蚀刻液通过窗口，湿法腐蚀去除所述通孔周围的所述第二牺牲层；

S8：去除部分所述第一支撑层，并湿法腐蚀去除所述通孔周围的所述第一牺牲层；以及

S9：形成覆盖所述第一导电材料层内表面及外表面的高K介质层，并形成覆盖所述高K介质层外表面的第二导电材料层；其中，所述第一导电材料层与第二导电材料层分别作为电容器的下极板与上极板，所述第一导电材料层、高K介质层及第二导电材料层组成双面电容器结构。

2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于：位于所述第一导电材料层外表面的所述高K介质层及所述第二导电材料层的底部与所述接触焊盘之间由所述钝化层隔离。

3.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于：所述第一牺牲层或第二牺牲层的材质包括氧化硅或硅烷氧化物；所述钝化层、第一支撑层或第二支撑层的材质包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝中的任意一种或任意两种以上的组合；所述蚀刻液包括氢氟酸溶液。

4.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于：所述第一牺牲层及第二牺牲层中掺杂有硼或磷中的一种或组合。

5.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于：步骤S6中，一个所述开口同时与多个所述通孔交叠，所述通孔仅有一部分与所述开口交叠。

6.根据权利要求5所述的动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于：所述开口同时与2～10个所述通孔交叠。

7.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于：步骤S6中，所述开口的周围布局包括具有相同开口形状且每个所述开口与3个所述通孔相交叠的周围布局。

8.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于，所述半导体结构还包括：

字线阵列，位于所述衬底中，包括多条直线型字线，这些字线均与Y方向平行，并且沿X方向等间距排列，其中，X方向与Y方向相互垂直；

位线阵列，位于所述多层膜结构中，包括多条直线型位线，这些位线均与X方向平行，并且沿Y方向等间距排列；

接触栓阵列，位于所述多层膜结构中，包括多个接触栓，其中，所述字线阵列的图形与所述位线阵列定义出在一衬底上的多个独立的矩形区域，每个接触栓分别形成于一个所述矩形区域中，使所述接触栓阵列呈四方排布；

接触焊盘阵列，包括多个所述接触焊盘，每个接触焊盘均连接于一个所述接触栓上方，并相对于所述接触栓在Y方向上偏移预设距离；其中，相邻两列接触焊盘的偏移方向相反，即其中一列接触焊盘沿正Y方向偏移，另外一相邻列接触焊盘沿负Y方向偏移，使所述接触焊盘阵列呈六方排布。

9.根据权利要求8所述的动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于：相邻两条位线的间距为D，每个接触焊盘均相对于所述接触栓在Y方向或负Y方向上偏移距离D/4。

10.根据权利要求8所述的动态随机存取存储器的制造方法，其特征在于：相邻两条字线的间距为2F，相邻两条位线的间距为3F，F为最小特征尺寸。