[发明专利]动态随机存取存储器的制造方法

说明书

本发明提供一种动态随机存取存储器的制造方法，包括制备动态随机存取存储器的字线阵列、位线阵列、接触栓阵列、接触焊盘阵列及电容器阵列，每个接触焊盘均连接于一个接触栓上方；其中，相邻两列接触焊盘的偏移方向相反，使所述接触焊盘阵列呈六方排布；每个电容器均连接于一个所述接触焊盘的上方。本发明制备的动态随机存取存储器中，平面布局结构由接触栓的四方排布变换为电容器的六方排布，可以提高存储单元中电容器的面积，获得更大的电容值。本发明在实现了电容器的六方布局及存储单元面积为6F²的同时，保证有源区、字线、位线均为直线型，布局更为简单，有利于降低工艺复杂性，提高存储器的稳定性。

技术领域

本发明属于存储器领域，涉及一种动态随机存取存储器的制造方法。

背景技术

电容器是一种以静电场形式储存能量的无源电子元件。在最简单的形式，电容器包括两个导电极板，且两个导电板之间通过称之为电介质的绝缘材料隔离。电容器的电容与极板的表面面积成正比，与极板间的距离成反比。电容器的电容还取决于分离极板的物质的介电常数。

电容的标准单位是法(farad，简称为F)，这是一个大单位，更常见的单位是微法(microfarad，简称μF)和皮法(picofarac，简称PF)，其中，1μF＝10^-6F，1pF＝10^-12F。

电容器可以制造于集成电路(IC)芯片上。在动态随机存取存储器(dynamicrandom access memory，简称DRAM)中，电容通常用于与晶体管连接。电容器有助于保持存储器的内容。由于其微小的物理尺寸，这些组件具有低电容。他们必须以每秒数千次的频率再充电，否则，DRAM将丢失数据。

集成电路制造工艺领域中，随着电子器件尺寸缩小最小线宽特征以至20纳米以下。然而20纳米以下电容数组设计以六方最密堆积为最佳几何选择。现有的动态随机存取存储器的制造方法中，为实现电容数组的六方最密堆积，通常具有复杂的制造工艺，且位线采用曲线设计，大大提高了工艺难度。

因此，如何提出一种制造工艺更为简单的动态随机存取存储器的制造方法，并达到较小的存储单元面积和较高的电荷存储能力，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种动态随机存取存储器的制造方法，用于解决现有技术中动态随机存取存储器的制造方法复杂的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种动态随机存取存储器的制造方法，包括如下步骤：

S1：提供一半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上表面的多层膜结构以及位于所述多层膜结构上表面的接触焊盘；

S2：在所述半导体结构上形成一覆盖所述接触焊盘的钝化层；

S3：在所述钝化层上依次形成第一牺牲层、第一支撑层、第二牺牲层及第二支撑层；

S4：形成上下贯穿所述第二支撑层、第二牺牲层、第一支撑层、第一牺牲层及所述钝化层的多个通孔，每个通孔分别位于一个所述接触焊盘的正上方，并暴露出所述接触焊盘的上表面；

S5：在所述通孔的侧壁及底部形成第一导电材料层；

S6：形成多个上下贯穿所述第二支撑层的开口，所述开口暴露出所述第二牺牲层的一部分，并且在打开所述开口的同时形成所述开口的周围布局；

S7：以所述开口为蚀刻液通过窗口，湿法腐蚀去除所述通孔周围的所述第二牺牲层；

S8：去除部分所述第一支撑层，并湿法腐蚀去除所述通孔周围的所述第一牺牲层；以及