[发明专利]一种多晶硅电阻

权利要求书

1.一种多晶硅电阻，其特征在于，所述多晶硅电阻包括：多晶硅层、电压模块和衬底层，其中，

所述电压模块，用于将所述多晶硅层上的电压传递给所述衬底层，所述电压模块包括缓冲器，所述缓冲器的输入被连接至所述多晶硅层，所述缓冲器的输出被连接至所述衬底层。

2.根据权利要求1所述的多晶硅电阻，其特征在于，所述衬底层包括：N阱和P型衬底，所述电压模块传递给所述衬底层的电压施加于所述N阱；或，

所述衬底层包括：深N阱，P阱和P型衬底，所述电压模块传递给所述衬底层的电压施加于所述P阱。

3.根据权利要求2所述的多晶硅电阻，其特征在于，所述多晶硅层，包括：所述多晶硅层的正端电压对应的第一多晶硅节点、所述多晶硅层的负端电压对应的第二多晶硅节点；

所述P型衬底、所述N阱、所述第一多晶硅节点、所述第二多晶硅节点在所述衬底层上形成欧姆接触；或，

所述P型衬底、所述P阱、所述第一多晶硅节点、所述第二多晶硅节点在所述衬底层上形成欧姆接触。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的多晶硅电阻，其特征在于，所述电压模块的输入来自于所述多晶硅层的中间电压，所述中间电压是所述多晶硅层的正端电压与负端电压之间的电压值。

5.根据权利要求4所述的多晶硅电阻，其特征在于，所述电压模块的输入来自于所述多晶硅层的正端电压和负端电压的平均值。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的多晶硅电阻，其特征在于，所述电压模块，包括：第一电压单元和第二电压单元，其中，

所述第一电压单元的两端分别连接所述衬底层的第一衬底节点、所述多晶硅层的正端电压对应的第一多晶硅节点；

所述第二电压单元的两端分别连接所述衬底层的第二衬底节点、所述多晶硅层的负端电压对应的第二多晶硅节点；

其中，所述第一衬底节点是所述衬底层中与所述第一多晶硅节点处于同一侧面上的节点，所述第二衬底节点是所述衬底层中与所述第二多晶硅节点处于同一侧面上的节点。

7.根据权利要求6所述的多晶硅电阻，其特征在于，所述第一衬底节点和所述第二衬底节点关于所述衬底层的中心点对称。

8.根据权利要求6所述的多晶硅电阻，其特征在于，所述第一电压单元包括：第三导线、第四导线、第一缓冲器，其中，

所述第三导线和所述第四导线都具有两端；

所述第一缓冲器分别连接所述第三导线的一端、所述第四导线的一端；

所述第三导线的另一端连接所述第一衬底节点，所述第四导线的另一端连接所述第一多晶硅节点。

9.根据权利要求6所述的多晶硅电阻，其特征在于，所述第二电压单元包括：第五导线、第六导线、第二缓冲器，其中，

所述第五导线和所述第六导线都具有两端；

所述第二缓冲器分别连接所述第五导线的一端、所述第六导线的一端；

所述第五导线的另一端连接所述第二衬底节点，所述第六导线的另一端连接所述第二多晶硅节点。

10.根据权利要求1所述的多晶硅电阻，其特征在于，所述多晶硅电阻，还包括：隔离层，其中，

所述多晶硅层位于所述隔离层的上表层区域；

所述隔离层位于所述衬底层的上表层区域。

11.一种多晶硅电阻，其特征在于，所述多晶硅电阻包括：多晶硅层、衬底层和缓冲器，其中，

所述多晶硅层上设有多晶硅节点；

所述衬底层上设有衬底节点，所述衬底节点通过所述缓冲器与所述多晶硅节点相连，所述缓冲器的输入被连接至所述多晶硅层，所述缓冲器的输出被连接至所述衬底层。

12.根据权利要求11所述的多晶硅电阻，其特征在于，所述衬底节点为欧姆接触点。