[发明专利]一种多晶硅电阻有效

专利信息
申请号: 201810380599.4 申请日: 2018-04-25
公开(公告)号: CN110400791B 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 李定;杜帅;储宜兴 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64
代理公司: 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 代理人: 王仲凯
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 多晶 电阻
【说明书】:

本申请实施例公开了一种多晶硅电阻,用于降低多晶硅电阻的电压系数。其中,本申请实施例提供一种多晶硅电阻,包括:多晶硅层、电压模块和衬底层,所述电压模块,用于将所述多晶硅层上的电压传递给所述衬底层。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种多晶硅电阻。

背景技术

电阻是模拟电路以及混合信号系统中最基本的无源器件,随着工艺的演进,集成电路中常用的电阻从扩散电阻(diffused resistor)和注入电阻(implanted resistor)逐步演进为多晶硅(poly)电阻。

在一般的应用场景中,通常可以不考虑poly电阻的电压系数,即认为poly电阻的阻值不随加在其两端的电压变化而发生变化。但在一些对于线性度要求非常高的应用领域,如模拟数字转换(Analog to Digital Convert,DA)或数字模拟转换(Digital toAnalog Convert,DA)、音频驱动等领域,poly电阻的电压系数会造成输出信号的失真,极大影响系统的性能,如果此时仍不考虑poly电阻的电压系数对电阻值的影响,会导致半导体芯片的测试性能远低于仿真性能。

但目前少有对poly电阻的电压系数的研究,也没有调整poly电阻的电压系数的方法。

发明内容

本申请实施例提供了一种多晶硅电阻,用于降低多晶硅电阻的电压系数。

为解决上述技术问题,本申请实施例提供以下技术方案:

第一方面,本申请实施例提供一种多晶硅电阻,所述多晶硅电阻包括:多晶硅层、电压模块和衬底层,其中,所述电压模块,用于将所述多晶硅层上的电压传递给所述衬底层。

在本申请实施例中,多晶硅电阻包括:多晶硅层、电压模块和衬底层,其中,电压模块用于将多晶硅层上的电压传递给衬底层。本申请实施例中多晶硅电阻中包括有电压模块,该电压模块可以将多晶硅层的电压传递给衬底层,因此衬底层接通有多晶硅层的电压,当多晶硅层的正端电压与负端电压变化时,多晶硅层的电压可以传递至衬底层,因此使得衬底层的电压可以跟随多晶硅层的正端电压与负端电压变化进行调整,即该衬底层的电压值不再固定为零电位,通过衬底层的电压值的调整可以改变多晶硅电阻的耗尽分布,降低多晶硅电阻的衬底电压对阻值的调制作用,进而降低多晶硅电阻的电压系数。

在第一方面的一种可能设计中,所述衬底层包括:N阱和P型衬底,所述电压模块传递给所述衬底层的电压施加于所述N阱;或,所述衬底层包括:深N阱,P阱和P型衬底,所述电压模块传递给所述衬底层的电压施加于所述P阱。其中,P型衬底也可以称为半导体衬底。若衬底层为N阱,则通过该衬底层形成的多晶硅电阻为在N阱的多晶硅电阻,电压模块传递给衬底层的电压施加于N阱,例如电压模块连接多晶硅层和该N阱,从而可以将多晶硅层的电压传递给该N阱,该N阱上的衬底电位不能小于0。若衬底层为DNW和P阱,则通过该衬底层形成的多晶硅电阻为在P阱的多晶硅电阻,电压模块传递给衬底层的电压施加于P阱,例如电压模块连接多晶硅层和该P阱,从而可以将多晶硅层的电压传递给该P阱。

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