[发明专利]一种SiO2

权利要求书

1.一种SiO₂-BN复合陶瓷与Invar合金的钎焊方法，其特征在于一种SiO₂-BN复合陶瓷与Invar合金的钎焊方法是按以下步骤完成的：

先利用等离子体增强化学气相沉积方法在Invar合金表面原位垂直生长石墨烯层，然后采用AgCuTi钎料与SiO₂-BN复合陶瓷真空钎焊；

所述利用等离子体增强化学气相沉积方法在Invar合金表面原位垂直生长石墨烯层是按照以下步骤进行的：

一、前处理：先用砂纸对Invar合金进行打磨，打磨后超声清洗，再进行抛光，得到抛光后的Invar合金，抛光后的Invar合金置于丙酮中保存；

二、生长石墨烯层：①、将抛光后的Invar合金置于等离子体增强化学气相沉积真空装置炉腔的工作台上，对炉腔抽真空至10^-1Pa以下，以流量为40～50sccm通入氢气，调节炉腔内压强为500Pa，然后在压强为500Pa和氢气流量为40～50sccm下升温至500℃～800℃；②、打开射频电源，调节射频功率为125W～200W，在温度为500℃～800℃和氢气流量为40～50sccm下通入碳源气体和氩气，碳源气体流量为5～30sccm，氩气流量为70～95sccm，调节炉腔内压强为500Pa～1000Pa；③、在射频功率为100W～200W、压强为500Pa～1000Pa、温度为500℃～800℃、氢气流量为40～50sccm、碳源气体流量为5～30sccm和氩气流量为70～95sccm下射频60min，依次关闭射频电源和加热电源，停止通入碳源气体，在氢气流量为40～50sccm和氩气流量为70～95sccm下随炉冷却至室温，即完成Invar合金表面生长石墨烯层，得到生长石墨烯的Invar合金。

2.根据权利要求1所述的一种SiO₂-BN复合陶瓷与Invar合金的钎焊方法，其特征在于步骤二②和③中所述的碳源气体为甲烷。

3.根据权利要求1所述的一种SiO₂-BN复合陶瓷与Invar合金的钎焊方法，其特征在于步骤二③中生长石墨烯的Invar合金的石墨烯层均匀垂直生长在Invar合金表面，且石墨烯层的层数为6～8层。

4.根据权利要求1所述的一种SiO₂-BN复合陶瓷与Invar合金的钎焊方法，其特征在于所述AgCuTi钎料为AgCuTi粉末钎料，先利用压片机对AgCuTi粉末钎料进行压片处理，得到AgCuTi薄片，然后将生长石墨烯的Invar合金、AgCuTi薄片和SiO₂-BN复合陶瓷由下至上依次叠放，再进行真空钎焊。

5.根据权利要求4所述的一种SiO₂-BN复合陶瓷与Invar合金的钎焊方法，其特征在于所述真空钎焊的钎焊温度是820℃～900℃，钎焊时间为1min～60min。

6.根据权利要求1所述的一种SiO₂-BN复合陶瓷与Invar合金的钎焊方法，其特征在于所述SiO₂-BN复合陶瓷真空钎焊前先进行预处理，具体操作如下：

先对SiO₂-BN复合陶瓷进行打磨，然后放入丙酮中进行超声清洗，超声清洗10min，再自然风干后，即完成SiO₂-BN复合陶瓷真空钎焊前的预处理。