[发明专利]一种SiO2有效

专利信息
申请号: 201810381022.5 申请日: 2018-04-25
公开(公告)号: CN108296586B 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 张丽霞;田成龙;宋亚南;孙湛;冯吉才 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: B23K1/008 分类号: B23K1/008;C23C16/26;C23C16/513
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 贾泽纯
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 sio base sub
【说明书】:

一种SiO2‑BN复合陶瓷与Invar合金的钎焊方法,它涉及一种提高异种材料钎焊接头力学性能的方法。本发明的目的是要解决现有用AgCuTi钎料直接焊接SiO2‑BN复合陶瓷与Invar合金时,由于Invar中的Fe、Ni元素向焊缝中过度溶解并与Ti元素反应生成大面积的脆性化合物带,导致焊接接头塑性变形能力不理想,且剪切强度差的问题。钎焊方法:先利用等离子体增强化学气相沉积方法在Invar合金表面原位垂直生长石墨烯层,然后采用AgCuTi钎料与SiO2‑BN复合陶瓷真空钎焊。优点:接头抗剪强度达到23MPa以上。本发明主要用于SiO2‑BN复合陶瓷与Invar合金的钎焊。

技术领域

本发明涉及一种提高异种材料钎焊接头力学性能的方法。

背景技术

SiO2-BN复合陶瓷具有出色的力学性能、抗腐蚀性能以及介电、抗热震等优良性能,可以成功用于导弹天线罩与其他航天大部件的组成材料。但是SiO2-BN具有较低的线膨胀系数以及较低的塑性变形能力,脆性较大,难以被加工成具有复杂形状的部件。所以,我们需要将该复合陶瓷与金属材料进行连接,发挥二者优势互补的作用。目前导弹天线罩过渡连接环的主要金属材料为Invar合金,该合金塑性较好,400℃下具有较低的线胀系数,实现SiO2-BN陶瓷与Invar合金的可靠连接,具有重要的现实意义。

在目前所有连接方法中,钎焊由于自身优势:强度较高、工艺相对简单、对母材损害很小,成为连接SiO2-BN陶瓷与Invar合金较为理想的方法之一。由于SiO2-BN复合陶瓷润湿性较差,钎焊过程中通常加入活性元素来提高液态钎料对陶瓷的润湿性。但是添加 Ti等活性元素之后,待焊金属会加剧自身向熔融钎料的溶解,在焊缝中形成大量的脆性化合物,对钎焊接头的塑性变形能力产生不利影响,导致钎焊接头有较大的残余应力甚至出现裂纹,使AgCuTi钎料钎焊SiO2-BN复合陶瓷与Invar合金时,焊接接头剪切强度一般低于21MPa。

发明内容

本发明的目的是要解决现有用AgCuTi钎料直接焊接SiO2-BN复合陶瓷与Invar合金时,由于Invar中的Fe、Ni元素向焊缝中过度溶解并与Ti元素反应生成大面积的脆性化合物带,导致焊接接头塑性变形能力不理想,且剪切强度差的问题,而提供一种提高 SiO2-BN复合陶瓷与Invar合金钎焊接头的方法。

一种SiO2-BN复合陶瓷与Invar合金的钎焊方法,具体是按以下步骤完成的:先利用等离子体增强化学气相沉积方法在Invar合金表面原位垂直生长石墨烯层,然后采用AgCuTi钎料与SiO2-BN复合陶瓷真空钎焊。

本发明的优点:1、本发明首先在Invar表面垂直生长少层石墨烯再与SiO2-BN钎焊,一方面阻隔焊接时Fe、Ni元素向液态钎料中的过度溶解,另一方面通过石墨烯与活性Ti元素反应,避免接头界面中出现大面积的Fe-Ti、Ni-Ti脆性化合物带,从而增加接头的塑性变形能力,缓解接头残余应力,提高力学性能。2、本发明利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在Invar合金表面原位垂直生长石墨烯,得到的石墨烯厚度很薄并且有较高的化学活性,与Ti元素有很好的亲和力。3、本发明SiO2-BN复合陶瓷与 Invar合金的钎焊接头抗剪强度达到23MPa以上。

附图说明

图1为实施例1步骤(2)中所述在Invar合金表面生长的石墨烯的SEM图;

图2为实施例1步骤(2)中所述在Invar合金表面生长的石墨烯的拉曼光谱图;

图3为实施例1得到的SiO2-BN复合陶瓷与Invar合金钎焊接头SEM图。

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