[发明专利]一种提高硅原子的悬挂键键合的方法在审
| 申请号： | 201810381048.X | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108649043A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王喜龙;胡胜;邹文 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅原子 介质层 悬挂键 晶圆表面 上表面 键合 氧化硅层 氧化气体 保护层 半导体领域 一氧化硅层 不饱和键 高温退火 晶体表面 离子键合 退火处理 富氧化 氧离子 晶圆 预设 穿透 | ||
1.一种提高硅原子的悬挂键键合的方法，其特征在于，
包括以下步骤：
步骤S1，对一晶圆表面进行氧化，形成一氧化硅层，所述氧化硅层的上表面具有悬挂键；
步骤S2，于所述氧化硅层的上表面设置一介质层；
步骤S3，在预设的第一温度下对所述介质层的表面进行富氧化处理；
步骤S4，于所述介质层的上表面设置一保护层；
步骤S5，对所述晶圆进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的提高硅原子的悬挂键键合的方法，其特征在于，所述退火处理的温度范围为250～1400℃。
3.根据权利要求1所述的提高硅原子的悬挂键键合的方法，其特征在于，所述介质层为高K介质层。
4.根据权利要求3所述的提高硅原子的悬挂键键合的方法，其特征在于，所述高K介质层为五氧化二钽。
5.根据权利要求1所述的提高硅原子的悬挂键键合的方法，其特征在于，所述保护层为二氧化硅。
6.根据权利要求1所述的提高硅原子的悬挂键键合的方法，其特征在于，所述第一温度的范围为25～1400℃。
7.根据权利要求1所述的提高硅原子的悬挂键键合的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述富氧化处理为向所述介质层的表面通以氧气。
8.根据权利要求1所述的提高硅原子的悬挂键键合的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述富氧化处理为向所述介质层的表面通以臭氧。
9.根据权利要求1所述的提高硅原子的悬挂键键合的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述富氧化处理为对所述介质层的表面进行灰化。
10.根据权利要求1所述的提高硅原子的悬挂键键合的方法，其特征在于，所述保护层通过化学气相沉积淀积于所述介质层表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
