[发明专利]一种掩膜板及其制作方法有效
| 申请号： | 201810382953.7 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108598293B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 罗程远 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;C23C14/04 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜板 及其 制作方法 | ||
1.一种掩膜板，其特征在于，包括：
掩膜基板，所述掩膜基板包括开口区域和遮挡区域；
设置在所述掩膜基板的第一表面上的可失粘胶层，所述可失粘胶层覆盖所述遮挡区域；
设置在所述可失粘胶层远离所述掩膜基板的表面上的保护层，所述保护层覆盖所述可失粘胶层；其中，
所述可失粘胶层为UV失粘胶层，所述UV失粘胶层由热塑性弹性体、增粘树脂和添加助剂组成；所述UV失粘胶层的厚度为1um～10um；
所述保护层为透明材料制作，所述透明材料包括TiO2、ZnO或Al2O3；所述保护层的厚度为0.03um～0.1um。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜基板的第一表面的表面粗糙度大于所述掩膜基板的其余表面的表面粗糙度。
3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜基板的第一表面的表面粗糙度为Ra0.8～Ra1.6。
4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述UV失粘胶层在UV照射前的180°剥离强度大于或等于6N/25mm，在UV照射后的180°剥离强度小于或等于1N/25mm。
5.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述保护层通过纳米溶胶沉积或原子层沉积工艺制作。
6.一种掩膜板的制作方法，其特征在于，所述掩膜板包括掩膜基板，所述掩膜基板包括开口区域和遮挡区域；所述制作方法包括：
在所述掩膜基板的第一表面上形成可失粘胶层；所述可失粘胶层覆盖所述掩膜基板的遮挡区域；
在所述可失粘胶层远离所述掩膜基板的表面上形成保护层，所述保护层覆盖所述可失粘胶层；其中，
所述可失粘胶层为UV失粘胶层，所述UV失粘胶层由热塑性弹性体、增粘树脂和添加助剂组成；所述UV失粘胶层的厚度为1um～10um；
所述保护层为透明材料制作，所述透明材料包括TiO2、ZnO或Al2O3；所述保护层的厚度为0.03um～0.1um。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述掩膜基板的第一表面上形成可失粘胶层之前，所述制作方法还包括：
对所述掩膜基板的第一表面进行粗糙化处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
