[发明专利]供电装置及包括该供电装置的基板处理装置

权利要求书

1.一种供电装置，所述装置包括：

高频电源，所述高频电源被配置为提供高频功率；

等离子体源，所述等离子体源包括被配置为通过使用所述高频功率来产生等离子体的第一天线和第二天线；和

功率分配器，所述功率分配器连接在所述高频电源和所述等离子体源之间，用于分配供应给所述第一天线和所述第二天线的高频功率，

其中所述功率分配器包括：

第一可变器件，所述第一可变器件被配置为控制供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率；

第二可变器件，所述第二可变器件被配置为对供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率的非线性进行补偿；和

一对电抗器件，所述一对电抗器件连接在所述第一可变器件和所述第二可变器件之间，且

其中所述一对电抗器件被设置为关于阻抗匹配单元而彼此对称。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一可变器件和所述第二可变器件是可变电容器。

3.根据权利要求1所述的装置，还包括：

阻抗匹配单元，所述阻抗匹配单元连接在所述高频电源和所述功率分配器之间以执行阻抗匹配。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述功率分配器的所述第一可变器件和所述第二可变器件以对称结构设置在所述阻抗匹配单元与所述等离子体源之间。

5.根据权利要求3所述的装置，其中所述功率分配器的所述第一可变器件和所述第二可变器件以不对称结构设置在所述阻抗匹配单元与所述等离子体源之间。

6.一种基板处理装置，所述装置包括：

腔室，所述腔室具有用于在其中处理所述基板的空间；

基板支撑组件，所述基板支撑组件置于所述腔室中以支撑所述基板；

供气单元，所述供气单元被配置成将气体供应到所述腔室中；和

电源单元，所述电源单元被配置为供应高频功率，使得所述腔室中的所述气体被激发成等离子体态，其中所述电源单元包括：

高频电源，所述高频电源被配置为提供高频功率；

等离子体源，所述等离子体源包括被配置为通过使用所述高频功率来产生等离子体的第一天线和第二天线；和

功率分配器，所述功率分配器连接在所述高频电源和所述等离子体源之间，用于分配供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率，

其中所述功率分配器包括：

第一可变器件，所述第一可变器件被配置为控制供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率；

第二可变器件，所述第二可变器件被配置为对供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率的非线性进行补偿；和

一对电抗器件，所述一对电抗器件连接在所述第一可变器件和所述第二可变器件之间，

其中所述一对电抗器件被设置为关于阻抗匹配单元而彼此对称。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第一可变器件和所述第二可变器件是可变电容器。

8.根据权利要求6所述的装置，其中所述电源单元还包括：

阻抗匹配单元，所述阻抗匹配单元连接在所述高频电源和所述功率分配器之间以执行阻抗匹配。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述功率分配器的所述第一可变器件和所述第二可变器件以对称结构设置在所述阻抗匹配单元与所述等离子体源之间。

10.根据权利要求8所述的装置，其中所述功率分配器的所述第一可变器件和所述第二可变器件以不对称结构设置在所述阻抗匹配单元与所述等离子体源之间。