[发明专利]供电装置及包括该供电装置的基板处理装置

说明书

所公开的发明为供电装置和包括该供电装置的基板处理装置。所述供电装置包括高频电源，其提供高频功率；等离子体源，其包括通过使用所述高频功率产生等离子体的第一天线和第二天线；以及功率分配器，其连接在所述高频电源和所述等离子体源之间，用于分配供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率。所述功率分配器包括第一可变器件，其控制供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率；以及第二可变器件，其对供应给所述第一天线和所述第二天线的所述高频功率的非线性进行补偿。

技术领域

本文描述的发明构思的实施方式涉及供电装置和包括该供电装置的基板处理装置，并且更具体地涉及在使用多个等离子体源的基板处理装置中有效地控制供应给每个等离子体源的功率比。

背景技术

制造半导体的工艺可以包括使用等离子体的基板处理工艺。例如，在制造半导体的工艺期间，可以使用腔室来产生用于蚀刻或灰化工序的等离子体，其中可以通过使用等离子体来蚀刻或灰化基板。

近来，随着使用等离子体处理的基板的尺寸增加，已使用等离子体处理装置来处理大面积基板。然而，这种等离子体处理装置已经使等离子体均匀性劣化。为了对其进行补偿，已经开发了通过使用多个等离子体源来控制腔室中的等离子体密度的方法，并且通过控制供应到多个等离子体源的功率比来调节等离子体的密度。

为了控制功率比，已经使用了利用可变电容器的方法。然而，由于通过可变电容值的功率比呈现非线性，因此难以精确地控制功率比和TTTM(工具-工具匹配)。

发明内容

本发明构思的实施方式提供了当向多个等离子体源供电时对功率比的容易控制。

本发明的目的可以不限于以上，并且根据下面提供的发明构思以及附图，本领域普通技术人员将清楚地理解其它目的。

根据示例性实施方式，一种供电装置包括：高频电源，其提供高频功率；等离子体源，其包括通过使用高频功率产生等离子体的第一天线和第二天线；以及功率分配器，其连接在高频电源和等离子体源之间，用于分配供应给第一天线和第二天线的高频功率，其中功率分配器包括第一可变器件，其控制供应给第一天线和第二天线的高频功率；以及第二可变器件，其对供应给第一天线和第二天线的高频功率的非线性进行补偿。

第一可变器件和第二可变器件可以是可变电容器。

该装置还可以包括阻抗匹配单元，其连接在高频电源和功率分配器之间以执行阻抗匹配。

功率分配器的第一可变器件和第二可变器件可以以对称结构设置在阻抗匹配单元和等离子体源之间。

功率分配器可以还包括一对电抗器件，其连接在第一可变器件和第二可变器件之间的，并且该一对电抗器件可以被设置为相对于阻抗匹配单元彼此对称。

功率分配器的第一可变器件和第二可变器件可以以不对称结构设置在阻抗匹配单元和等离子体源之间。

功率分配器还可以包括电抗器件，其连接在第一可变器件和第二可变器件之间。

根据示例性实施方式，一种基板处理装置包括：腔室，其具有用于在其中处理基板的空间；基板支撑组件，其置于腔室中以支撑基板；供气单元，其将气体供应到所述腔室中；以及电源单元，其供应高频功率，使得腔室中的气体被激发成等离子体态，其中，所述电源单元包括：高频电源，其提供高频功率；等离子体源，其包括通过使用高频功率产生等离子体的第一天线和第二天线；以及功率分配器，其连接在高频功率源和等离子体源之间以分配供应给第一天线和第二天线的高频功率，其中功率分配器包括控制供应给第一天线和第二天线的高频功率的第一可变器件；以及对供应给第一天线和第二天线的高频功率的非线性进行补偿的第二可变器件。

第一可变器件和第二可变器件可以是可变电容器。

所述电源单元还可以包括阻抗匹配单元，其连接在高频电源和功率分配器之间以执行阻抗匹配。