[发明专利]摄像装置在审

专利信息
申请号: 201810383853.6 申请日: 2018-04-26
公开(公告)号: CN108987420A 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 西川麻美;西村佳寿子 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/357
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 安香子
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 信号线 半导体基板 电连接 扩散层 电荷积蓄 摄像装置 信号电荷 布线层 列方向 布线 像素 积蓄信号电荷 光电变换部 布线配置 方向观察 垂直的 晶体管 入射光 二维 减小 噪声 施加 输出 配置 延伸
【权利要求书】:

1.一种摄像装置,其特征在于,具备:

半导体基板;

多个像素,在上述半导体基板上沿着行方向及列方向二维地配置;以及

1层以上的布线层,包括沿着上述列方向延伸的第1信号线和被施加多值的信号的第2信号线,位于上述半导体基板上;

上述多个像素所包含的第1像素具备:

光电变换部,将入射光变换为信号电荷;

电荷积蓄区域,积蓄上述信号电荷;

第1布线,电连接于上述电荷积蓄区域;以及

第1晶体管,包括第1扩散层及第2扩散层,将与上述信号电荷的量对应的信号向上述第1信号线输出,上述第1扩散层电连接于上述第1信号线,上述第2扩散层电连接于上述第2信号线;

上述第1信号线、上述第2信号线及上述第1布线配置于上述1层以上的布线层所包含的第1布线层;

当从与上述半导体基板垂直的方向观察时,上述第2信号线位于上述第1布线与上述第1信号线之间。

2.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,

上述1层以上的布线层包括第3信号线,该第3信号线被施加上述多值的信号,并且配置于上述第1布线层;

当从与上述半导体基板垂直的方向观察时,上述第1布线位于上述第2信号线与上述第3信号线之间。

3.如权利要求2所述的摄像装置,其特征在于,

上述第3信号线电连接于上述第2扩散层。

4.如权利要求2所述的摄像装置,其特征在于,

上述多个像素包括与上述第1像素不同的第2像素;

上述第3信号线电连接于上述第2像素。

5.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,

上述第1像素具有使上述信号向上述电荷积蓄区域负反馈的反馈路径。

6.如权利要求5所述的摄像装置,其特征在于,

上述第1像素具备:

第2晶体管,包括上述电荷积蓄区域及第3扩散层;

第3晶体管,包括第4扩散层及第5扩散层,上述第4扩散层电连接于上述第1扩散层,上述第5扩散层电连接于上述第3扩散层;以及

电容元件,电连接于上述电荷积蓄区域与上述第3扩散层之间;

上述反馈路径包括上述电荷积蓄区域、上述第1晶体管、上述第3晶体管及上述电容元件。

7.如权利要求6所述的摄像装置,其特征在于,

上述第1像素具备:

第4晶体管,包括第6扩散层及第7扩散层,上述第7扩散层电连接于上述第1信号线;

第2布线,将上述第1扩散层与上述第6扩散层电连接;以及

第3布线,将上述第4扩散层与上述第6扩散层电连接;

上述第2布线及上述第3布线的至少一方、上述第2信号线以及上述第1布线配置于上述1层以上的布线层所包含的第2布线层;

当从与上述半导体基板垂直的方向观察时,上述第2信号线位于上述第2布线及上述第3布线的上述至少一方与上述第1布线之间。

8.如权利要求7所述的摄像装置,其特征在于,

上述第2布线层与上述第1布线层不同。

9.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,

上述第1布线及上述第2信号线分别配置于上述第1布线层以及第3布线层双方,上述第3布线层是包含于上述1层以上的布线层且与上述第1布线层相邻的布线层。

10.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,

上述光电变换部包括第1电极、第2电极、以及上述第1电极与上述第2电极之间的光电变换膜;

上述第1布线将上述第2电极与上述电荷积蓄区域电连接。

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