[发明专利]摄像装置

说明书

目的是抑制面积的增加并且减小噪声。一种摄像装置，具备：半导体基板；多个像素，在半导体基板上沿着行方向及列方向二维地配置；以及1层以上的布线层，包括沿着列方向延伸的第1信号线和被施加多值的信号的第2信号线，位于半导体基板上；第1像素具备：光电变换部，将入射光变换为信号电荷；电荷积蓄区域，积蓄信号电荷；第1布线，电连接于电荷积蓄区域；以及第1晶体管，包括第1、第2扩散层，将与信号电荷的量对应的信号向第1信号线输出，第1扩散层电连接于第1信号线，第2扩散层电连接于第2信号线；第1、第2信号线及第1布线配置于第1布线层；当从与半导体基板垂直的方向观察时，第2信号线位于第1布线与第1信号线之间。

技术领域

本发明涉及摄像装置。

背景技术

近年来，在摄像机、数字静像相机、监视相机及车载相机等各种各样的领域中广泛地使用摄像装置(摄像元件)。作为摄像装置的例子，可以举出CCD(Charge CoupledDevice)型固体摄像装置或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型固体摄像装置。特别是CMOS型固体摄像装置被广泛地使用。CMOS型固体摄像装置由于能够使用通用的CMOS工艺制造，所以能够利用已有的设备。由此，有能够稳定地供给摄像装置的优点。此外，在CMOS型固体摄像装置中，由于能够将周边电路安装到同一芯片内，所以能够从摄像装置高速地读出信号。由此，有能实现高速化及高分辨率化的优点。

这些图像传感器具有形成在半导体基板上的光电二极管。在具有光电二极管的CMOS型固体摄像装置中，广泛地利用例如在专利文献1中公开的相关双采样(CorrelatedDouble Sampling(CDS))技术。

另一方面，提出了一种将具有光电变换层的光电变换部配置在半导体基板的上方的构造(例如参照专利文献2)。具有这样的构造的摄像装置被称作层叠型的摄像装置。在层叠型的摄像装置中，通过光电变换产生的电荷被积蓄到作为电荷积蓄区域的FD(浮动扩散层)中。与积蓄在电荷积蓄区域中的电荷量对应的信号经由形成在半导体基板上的CCD电路或CMOS电路被读出。

专利文献1：日本特开2010－129705号公报

专利文献2：日本特开2009－164604号公报

发明内容

在摄像装置的领域中，要求噪声减小及传感器的小面积化。

有关本发明的一技术方案的摄像装置具备：半导体基板；多个像素，在上述半导体基板上沿着行方向及列方向二维地配置；以及1层以上的布线层，包括沿着上述列方向延伸的第1信号线和被施加多值的信号的第2信号线，位于上述半导体基板上；上述多个像素中包含的第1像素具备：光电变换部，将入射光变换为信号电荷；电荷积蓄区域，积蓄上述信号电荷；第1布线，电连接于上述电荷积蓄区域；以及第1晶体管，包括第1扩散层及第2扩散层，将与上述信号电荷的量对应的信号向上述第1信号线输出，上述第1扩散层电连接于上述第1信号线，上述第2扩散层电连接于上述第2信号线上；上述第1信号线、上述第2信号线及上述第1布线配置于上述1层以上的布线层所包含的第1布线层；当从与上述半导体基板垂直的方向观察时，上述第2信号线位于上述第1布线与上述第1信号线之间。

发明效果

本发明能够提供一种能够实现噪声减小及传感器的小面积化的摄像装置。

附图说明

图1是表示有关实施方式的摄像装置的例示性的结构的示意图。

图2是表示有关实施方式的像素的例示性的电路结构的示意图。

图3是表示有关实施方式的像素的例示性的电路结构的示意图。

图4是示意地表示有关实施方式的像素的各元件的布局的一例的平面图。