[发明专利]形成钨膜的方法

说明书

提供一种形成钨膜的方法，该钨膜具有低的电阻。在一个方式中，提供一种形成钨膜的方法。该方法包括以下工序：在基板上形成包含金属的不连续膜；以及在上面形成了不连续膜的基板上形成钨膜。在形成不连续膜的工序中，例如将第一原料气体和氮化气体交替地同载气一起供给。在形成钨膜的工序中，例如将第二原料气体和还原气体交替地同载气一起供给。

技术领域

本公开的实施方式涉及一种形成钨膜的方法。

背景技术

在半导体器件之类的电子器件的制造中，在基板上进行金属膜的形成。金属膜例如被用作布线层。作为这种金属膜，周知的是钨膜。

在下述的专利文献1～3中记载有形成钨膜的方法。在专利文献1和专利文献2所记载的方法中，针对由钨或氮化钛形成的基底膜应用等离子体处理。然后，在通过等离子体处理而改性后的基底膜的表面上形成钨膜。在专利文献3所记载的方法中，在由氮化钛形成的基底膜上形成初始的钨膜。然后，在初始的钨膜上形成主钨膜。

专利文献1：日本特开2013-182961号公报

专利文献2：日本特开2014-67866号公报

专利文献3：日本特开2016-186094号公报

发明内容

发明要解决的问题

如上述那样，钨膜例如被用作布线层。因而，要求钨膜的电阻低。

用于解决问题的方案

在一个方式中，提供一种形成钨膜的方法。该方法包括以下工序：在基板上形成包含金属的不连续膜；以及在上面形成了不连续膜的基板上形成钨膜。

不连续膜由形成于基板表面的多处的金属的核或岛(island)构成。换言之，不连续膜提供在基板上形成为点状的活性点。当在上面形成了这样的不连续膜的基板上形成钨膜(连续膜)时，该钨膜的晶粒的尺寸变大。因而，根据一个方式所涉及的方法，能够提供具有低的电阻的钨膜。

在一个实施方式中，不连续膜包含氮化钛。在一个实施方式中，在形成不连续膜的工序中，包括以下步骤：将含有金属的第一原料气体和氮化气体交替地同载气一起供给到基板。在一个实施方式中，第一原料气体可以是四氯化钛气体。在一个实施方式中，氮化气体可以是氨气。在一个实施方式中，载气可以是氮气。当将氮气用作载气时，在包括第一原料气体的供给和氮化气体的供给的各序列中基板上堆积的氮化钛的粒子的尺寸变小。因而，能够容易地形成上述的不连续膜。

在一个实施方式中，在形成钨膜的工序中，包括以下步骤：将含有钨的第二原料气体和还原气体交替地同载气一起供给到在上面形成了不连续膜的基板。在一个实施方式中，第二原料气体可以是六氟化钨气体。在一个实施方式中，形成钨膜时使用的还原气体可以是氢气。在一个实施方式中，形成钨膜时使用的载气可以是稀有气体。与将氮气用作载气的情况相比，在将稀有气体用作载气的情况下，钨膜中的钨的晶粒的尺寸变大。因而，当将稀有气体用作载气时，能够形成具有更低的电阻的钨膜。

发明的效果

如以上所说明的那样，能够形成具有低的电阻的钨膜。

附图说明

图1是示出一个实施方式所涉及的形成钨膜的方法的流程图。

图2是将能够应用图1所示的方法的例示的基板的一部分放大地示出的截面图。

图3的(a)是将执行图1所示的方法的工序ST1之后的例示的基板的一部分放大地示出的截面图，图3的(b)是将执行图1所示的方法的工序ST2之后的例示的基板的一部分放大地示出的截面图。