[发明专利]集成电路装置及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路装置的形成方法，包括：

接收一工件，其包含一基底和一栅极堆叠位于该基底上；

形成一间隔物于该栅极堆叠的一侧面上，其中该间隔物包含一间隔层具有一低介电常数介电材料；

形成一源极/漏极区于该基底内；以及

形成一源极/漏极接点耦接至该源极/漏极区，其中该间隔物的该间隔层位于该源极/漏极接点与该栅极堆叠之间。

2.如权利要求1所述的集成电路装置的形成方法，其中该低介电常数介电材料包含一多孔低介电常数介电材料。

3.如权利要求2所述的集成电路装置的形成方法，其中该间隔物的该形成包含：

沉积一低介电常数介电材料前驱物和一成孔剂；以及

固化该低介电常数介电材料前驱物，以形成该间隔层的该低介电常数介电材料；且

该固化使得该成孔剂产生孔隙在该多孔低介电常数介电材料内。

4.如权利要求1所述的集成电路装置的形成方法，其中该低介电常数介电材料包含一介电材料和一掺质，该掺质来自于由一n型掺质和一p型掺质所组成的群组。

5.如权利要求4所述的集成电路装置的形成方法，其中该间隔物的该形成包含：

沉积该介电材料于该栅极堆叠上；以及

在该介电材料的该沉积期间，原位注入该掺质。

6.如权利要求4所述的集成电路装置的形成方法，其中该间隔物的该形成包含：

沉积该介电材料于该栅极堆叠上；以及

随后进行一离子注入工艺于该工件上，以注入该掺质于该介电材料内。

7.一种集成电路装置的形成方法，包括：

接收一基底和位于该基底上的一栅极堆叠；

形成一侧壁间隔物于该栅极堆叠的一垂直侧面上，其中该侧壁间隔物包含一间隔层，该间隔层包含一低介电常数介电前驱物；

固化该低介电常数介电前驱物，以形成该间隔层的一低介电常数介电材料，其中该固化形成一孔隙于该低介电常数介电材料内；以及

形成一源极/漏极接点相邻于该栅极堆叠，使得该侧壁间隔物位于该源极/漏极接点与该栅极堆叠之间。

8.如权利要求7所述的集成电路装置的形成方法，其中接收的该栅极堆叠包含一占位栅极电极；且该方法还包括：

移除该占位栅极电极；以及

形成该栅极堆叠的一功能栅极电极；且

该低介电常数介电前驱物的该固化在该占位栅极电极的该移除之后和该功能栅极电极的该形成之前进行。

9.一种集成电路装置，包括：

一基底；

一栅极堆叠，位于该基底上；

一侧壁间隔物，位于该栅极堆叠的一侧面上，其中该侧壁间隔物包含一间隔层具有一低介电常数介电材料，且该低介电常数介电材料包含一孔隙于其中；以及

一源极/漏极接点，其设置使得该侧壁间隔物位于该源极/漏极接点与该栅极堆叠之间。

10.如权利要求9所述的集成电路装置，其中该侧壁间隔物包含一硬掩模层位于该间隔层与该栅极堆叠的该侧面之间。