[发明专利]背接触太阳能电池的制造方法在审
申请号: | 201810387182.0 | 申请日: | 2018-04-26 |
公开(公告)号: | CN108565305A | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 芶富均;毛玲;李芬;屈克庆;兰洵;林应斌;马丁·格林 | 申请(专利权)人: | 徐州日托光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 梁永昌 |
地址: | 221000 江苏省徐州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 背接触太阳能电池 敷设 背接触 组件层 层压 底漆 硅胶 环氧树脂 聚甲基戊烯 电池检测 硅胶胶水 使用寿命 一体成型 正面焊接 胶水 分切机 焊接机 热硫化 树脂 串接 修边 粘接 装框 涂抹 制造 太阳能 背面 电池 玻璃 配合 统一 | ||
本发明公开了背接触太阳能电池的制造方法,包括以下步骤:a.首先进行电池检测;b.待步骤a完成后再采用焊接机进行正面焊接;c.待步骤b完成后,再进行背面串接工作;d.待步骤c完成后,再进行硅胶底漆的涂抹;e.待步骤d完成后,再进行层压敷设;f.待步骤e完成后,再进行背接触板的组件层压;g.待步骤f完成后,再配合分切机进行修边装框工作,通过在层压敷设之前,添加由热硫化胶水25%、RTV硅胶胶水32%、聚甲基戊烯树脂20%、环氧树脂23%组成的硅胶底漆,以增加玻璃和EVA的粘接强度,增加了太阳能后期的稳定性,便于增加使用寿命,通过在组件层压之前,把背接触板与电池统一放置,便于一体成型,增加组件的强度,降低了工序,便于推广使用。
技术领域
本发明涉及一种背接触太阳能电池加工技术领域,具体为背接触太阳能 电池的制造方法。
背景技术
太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”,是一种利用太阳光直 接发电的光电半导体薄片。它只要被满足一定照度条件的光照到,瞬间就可 输出电压及在有回路的情况下产生电流。在物理学上称为太阳能光伏,简称 光伏,太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的 装置。以光电效应工作的晶硅太阳能电池为主流,而以光化学效应工作的薄 膜电池实施太阳能电池则还处于萌芽阶段,随着太阳能电池行业的不断发展, 内业竞争也在不断加剧,大型太阳能电池企业间并购整合与资本运作日趋频繁,国内优秀的太阳能电池生产企业愈来愈重视对行业市场的研究,特别是 对产业发展环境和产品购买者的深入研究。正因为如此,一大批国内优秀的 太阳能电池品牌迅速崛起,逐渐成为太阳能电池行业中的翘楚,其中现在的 技术是去掉前接触层(因为降低光线射入)而采用后接触技术,可提高电能 转化率2~4%。
目前,现有的背接触太阳能电池可配合太阳能进行收集转换,但是在实 际使用中,组件通常都安装在户外,每天要承受30℃左右的温度变化,加上 季节更替,温度的变化更大。由于焊带基材为纯铜,铜的膨胀系数约为硅(电 池片)的六倍,这种差异就意味着:在无法保证玻璃和EVA的粘接强度的情 况下,只要有温度的变化,焊带与电池片焊接处就会受力较多,导致组件功 率降低,严重时会导致组件失效,其次在对背接触板的安装过程中,缺少有 效的统一安装方式,多出的工序增加了工作难度,降低了工作效率,也不便 于产品的融合,这些都是实际存在而又急需解决的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供背接触太阳能电 池的制造方法,通过在层压敷设之前,添加由热硫化胶水25%、RTV硅胶胶 水32%、聚甲基戊烯树脂20%、环氧树脂23%组成的硅胶底漆,以增加玻璃 和EVA的粘接强度,增加了太阳能后期的稳定性,便于增加使用寿命,通过 在组件层压之前,把背接触板与电池统一放置,便于一体成型,增加组件的 强度,降低了工序,便于推广使用。
为解决上述问题,本发明提供如下技术方案:背接触太阳能电池的制造 方法,包括以下步骤:
a.首先进行电池检测;
b.待步骤a完成后再采用焊接机进行正面焊接;
c.待步骤b完成后,再进行背面串接工作;
d.待步骤c完成后,再进行硅胶底漆的涂抹;
e.待步骤d完成后,再进行层压敷设;
f.待步骤e完成后,再进行背接触板的组件层压;
g.待步骤f完成后,再配合分切机进行修边装框工作;
h.待步骤g完成后,最后进行测试包装处理。
作为本发明的一种优选实施方式,所述步骤a中,由于电池片制作条件 的随机性,生产出来的电池性能不尽相同,所以为了有效的将性能一致或相 近的电池组合在一起,所以应根据其性能参数进行分类;电池测试即通过测 试电池的输出参数(电流和电压)的大小对其进行分类,以提高电池的利用 率,做出质量合格的电池组件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于徐州日托光伏科技有限公司,未经徐州日托光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810387182.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的