[发明专利]电子装置在审

专利信息
申请号: 201810387837.4 申请日: 2018-04-26
公开(公告)号: CN108933124A 公开(公告)日: 2018-12-04
发明(设计)人: 西山知宏 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 高培培;戚传江
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 母线 电子装置 半导体装置 功率晶体管 延伸距离 彼此相对 方向延伸 绝缘板 上表面 基板
【权利要求书】:

1.一种电子装置,其特征在于,具有:

第1半导体部件,具有第1功率晶体管、与所述第1功率晶体管的第1发射极电连接的第1发射极端子、与所述第1功率晶体管的第1集电极电连接的第1集电极端子以及与所述第1功率晶体管的第1栅极电连接的第1栅极端子;

第2半导体部件,具有第2功率晶体管、与所述第2功率晶体管的第2发射极电连接的第2发射极端子、与所述第2功率晶体管的第2集电极电连接的第2集电极端子以及与所述第2功率晶体管的第2栅极电连接的第2栅极端子;

基板,具有沿着第1方向以相互相邻的方式搭载所述第1半导体部件以及所述第2半导体部件的第1主面;

壳体,具有收容搭载有所述第1半导体部件和所述第2半导体部件的所述基板的收容部以及在所述基板的上方沿着所述第1方向排列的第1外部端子部和第2外部端子部;

第1导体板,具有在剖视时与所述第1半导体部件的所述第1集电极端子接合并且沿所述第1方向延伸的第1接合部以及在所述壳体的所述第1外部端子部的上方露出到所述壳体的外部的露出部;以及

第2导体板,具有在剖视时与所述第2半导体部件的所述第2发射极端子接合并且沿所述第1方向延伸的第2接合部以及在所述壳体的所述第2外部端子部的上方露出到所述壳体的外部的露出部,

所述第1导体板以及所述第2导体板分别具备隔着绝缘材料彼此相对、并且在剖视时沿着与所述第1方向交叉的第2方向延伸的第1部分,

所述第1导体板具备位于所述第1部分与所述露出部之间并且向远离所述第2导体板的所述第1方向延伸的第2部分以及位于所述第2部分与所述露出部之间并且沿所述第2方向延伸的第3部分,

所述第1导体板以及所述第2导体板的所述第1部分、所述第1导体板的所述第2部分以及所述第1导体板的所述第3部分分别配置于所述壳体的所述收容部内,

在剖视时,所述第1导体板的所述第1部分与所述第2导体板的所述第1部分之间的在所述第1方向上的间隔小于所述第1半导体部件与所述第2半导体部件之间的在所述第1方向上的间隔,

在剖视时,所述第1导体板的所述露出部与所述第2导体板的所述露出部之间的在所述第1方向上的间隔大于所述第1导体板的所述第1部分与所述第2导体板的所述第1部分之间的在所述第1方向上的间隔,

所述第3部分在所述第2方向上的延伸距离比所述第2部分在所述第1方向上的延伸距离短。

2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,

在剖视时,所述第2外部端子部位于所述第2半导体部件的上方。

3.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,

所述第1导体板的所述第1部分与所述第2导体板的所述第1部分之间的在所述第1方向上的间隔距离比所述第3部分在所述第2方向上的延伸距离短。

4.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,

所述第1导体板的所述第1部分在所述第2方向上的延伸距离比所述第3部分在所述第2方向上的延伸距离长。

5.根据权利要求4所述的电子装置,其特征在于,

所述第1导体板的所述第1部分在所述第2方向上的延伸距离比所述第2部分在所述第1方向上的延伸距离长。

6.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,

所述第2导体板在所述第1部分与所述露出部之间具有沿所述第2方向延伸的第4部分,

所述绝缘材料沿所述第2方向延伸,

所述绝缘材料具有在所述第1方向上位于所述第1导体板的所述第1部分与所述第2导体板的所述第1部分之间的第1部分以及在所述第1方向上位于所述第2导体板的所述第4部分与所述第1导体板的所述第3部分之间的第2部分。

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