[发明专利]用于FDSOI的电源轨及MOL构造有效
| 申请号： | 201810389800.5 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108807338B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 恩拉·密特尔;马布·拉汉德 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 fdsoi 电源 mol 构造 | ||
1.一种半导体结构，包含：
至少一半导体装置的至少一源极或漏极区；
用于该至少一半导体装置的互连结构的第一金属化层；
电性耦合至该至少一源极或漏极区的至少一第一接触区；
电性耦合至该至少一第一接触区的至少一第二接触区；
电性耦合至该至少一第二接触区的至少一V0，该第一金属化层电性耦合至该至少一V0；
至少一第一栅极与至少一第二栅极，其中，该至少一第一栅极与该至少一第二栅极为金属栅极，其中，该至少一源极或漏极区设置成邻近该至少一第一栅极及该至少一第二栅极中的一或多个，以及其中，该至少一第二接触区为单件，也电性耦合至该至少一第一栅极及该至少一第二栅极中的一或多个；以及
其中，沟槽硅化物不存在于该半导体结构中，以及其中，该半导体结构是平的。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该至少一第一接触区与该至少一第二接触区由具有小于铜的最小面积的非铜重金属制成。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其中，该非铜重金属包含钨与钴的至少一者。
4.一种半导体结构，包含：
至少一半导体装置的至少一源极或漏极区；
至少一第一接触区，电性耦合至该至少一源极或漏极区；
至少一第二接触区，电性耦合至该至少一第一接触区；
至少一V0双向卡钉，其邻近该至少一第二接触区且电性耦合至该至少一第二接触区及该至少一第一接触区；
至少一V0，其在该至少一第二接触区及该至少一V0双向卡钉上面且电性耦合至该至少一第二接触区及该至少一V0双向卡钉；
至少一第一栅极与至少一第二栅极，其中，该至少一第一栅极与该至少一第二栅极为金属栅极，其中，该至少一源极或漏极区设置成邻近该至少一第一栅极及该至少一第二栅极中的一或多个，以及其中，该至少一第二接触区为单件，也电性耦合至该至少一第一栅极及该至少一第二栅极中的一或多个；以及
其中，沟槽硅化物不存在于该半导体结构中，以及其中，该半导体结构是平的。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其中，该至少一源极或漏极区包含外延半导体材料。
6.如权利要求4所述的半导体结构，更包含一通孔型栅极接触，其电性耦合该至少一第一栅极及该至少一第二栅极中的一或多个与该至少一第二接触区。
7.如权利要求6所述的半导体结构，更包含从该至少一第二接触区至该至少一第一栅极及该至少一第二栅极中的一或多个的跳线。
8.如权利要求4所述的半导体结构，更包含一局部互连，其中，该至少一V0中的一或多个电性耦合至该局部互连。
9.如权利要求4所述的半导体结构，更包含一第一金属化层电源轨，其中，该至少一V0中的一或多个电性耦合至该第一金属化层电源轨。
10.如权利要求9所述的半导体结构，其中，该第一金属化层电源轨由具有小于铜的最小面积的非铜重金属制成。
11.如权利要求10所述的半导体结构，其中，该非铜重金属包含钨与钴的至少一者。
12.如权利要求10所述的半导体结构，其中，该至少一V0沿着该电源轨的中心长度设置。
13.如权利要求12所述的半导体结构，其中，该至少一V0包含至少两个V0，该至少两个V0与该第一金属化层电源轨在其中心长度上随机地电性耦合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格芯(美国)集成电路科技有限公司，未经格芯(美国)集成电路科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810389800.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种COB封装结构
- 下一篇：金属连线间形成空气隙的方法和金属连线结构
