[发明专利]TFT阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201810390106.5 申请日: 2018-04-27
公开(公告)号: CN108598088B 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 崔珠峰 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;G02F1/1362
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂;鞠骁
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 扇出线 数据线 表面电阻率 第二金属层 第一金属层 显示装置 内阻 扇出 接收数据信号 时序差异 数据信号 制作过程 差异性 短路
【权利要求书】:

1.一种TFT阵列基板,其特征在于,包括衬底(10)、设于衬底(10)上的第一金属层(20)及设于第一金属层(20)上方与第一金属层(20)绝缘的第二金属层(30);

所述第二金属层(30)包括多条平行且间隔的数据线(31)及分别对应多条数据线(31)的多条第一扇出线(32),所述第一扇出线(32)与其对应的数据线(31)间隔;所述第一金属层(20)包括分别与多条数据线(31)对应的多条第二扇出线(21);

所述TFT阵列基板具有依次设置的有效显示区(101)及扇出区(102),多条数据线(31)均位于有效显示区(101)且具有延伸至扇出区(102)的端部,多条第一扇出线(32)及第二扇出线(21)均位于扇出区(102);所述数据线(31)延伸至扇出区(102)的端部在竖直方向的投影与对应的第二扇出线(21)的部分重叠并经一对应的第一过孔(41)与该第二扇出线(21)电性连接;所述第一扇出线(32)的部分在竖直方向的投影与对应的数据线(31)所对应的第二扇出线(21)的部分重叠并经一对应的第二过孔(42)与该第二扇出线(21)电性连接;多条第二扇出线(21)位于对应的第一过孔(41)与对应的第二过孔(42)之间的部分的内阻相等;

所述第一金属层(20)的表面电阻率大于第二金属层(30)的表面电阻率;

所述第一金属层(20)还包括分别与多条数据线(31)对应的多条第三扇出线(22);多条第三扇出线(22)均位于扇出区(102);对应同一数据线(31)的第二扇出线(21)及第三扇出线(22)相间隔;所述第一扇出线(32)的部分在竖直方向的投影与对应的数据线(31)所对应的第三扇出线(22)的部分重叠并经一对应的第三过孔(43)与该第三扇出线(22)电性连接。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述数据线(31)延伸至扇出区(102)的端部在竖直方向的投影与对应的第二扇出线(21)靠近有效显示区(101)的端部重叠并经对应的第一过孔(41)与该第二扇出线(21)靠近有效显示区(101)的端部电性连接;所述第一扇出线(32)靠近有效显示区(101)的端部在竖直方向的投影与对应的数据线(31)所对应的第二扇出线(21)远离有效显示区(101)的端部重叠并经对应的第二过孔(42)与该第二扇出线(21)远离有效显示区(101)的端部电性连接;

所述第二扇出线(21)与对应的数据线(31)的延伸方向相同;

多条第二扇出线(21)的内阻相同。

3.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述第一扇出线(32)远离有效显示区(101)的端部在竖直方向的投影与对应的数据线(31)所对应的第三扇出线(22)靠近有效显示区(101)的端部重叠并经对应的第三过孔(43)与该第三扇出线(22)靠近有效显示区(101)的端部电性连接;所述第三扇出线(22)远离有效显示区(101)的端部延伸至衬底(10)的边缘。

4.如权利要求3所述的TFT阵列基板,其特征在于,多条第三扇出线(22)与多条数据线(31)相平行;

多条第三扇出线(22)的内阻相同。

5.如权利要求4所述的TFT阵列基板,其特征在于,多条数据线(31)中最外侧的两条数据线(31)之间的距离大于多条第三扇出线(22)中最外侧的两条第三扇出线(22)之间的距离。

6.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述第一金属层(20)的表面电阻率为0.4Ω/□-0.5Ω/□;所述第二金属层(30)的表面电阻率为0.05Ω/□-0.15Ω/□。

7.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,还包括设于所述第一金属层(20)与第二金属层(30)之间的层间绝缘层(40),所述第一过孔(41)、第二过孔(42)及第三过孔(43)均贯穿所述层间绝缘层(40)。

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