[发明专利]TFT阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201810390106.5 | 申请日: | 2018-04-27 |
公开(公告)号: | CN108598088B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 崔珠峰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;鞠骁 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扇出线 数据线 表面电阻率 第二金属层 第一金属层 显示装置 内阻 扇出 接收数据信号 时序差异 数据信号 制作过程 差异性 短路 | ||
本发明提供一种TFT阵列基板及显示装置。该TFT阵列基板将扇出区内的分别与多条数据线对应的多条第二扇出线设置在第一金属层上,将扇出区内的分别与多条数据线对应的第一扇出线设置在第二金属层上,数据线与第二扇出线之间以及第二扇出线与第一扇出线之间通过过孔连接,第一金属层的表面电阻率大于第二金属层的表面电阻率,从而增大对应每一条数据线的扇出线整体的内阻,减少对应不同的数据线的扇出线之间的内阻差异性,从而在利用扇出线向多条数据线上提供数据信号时,各条数据线接收数据信号不会出现时序差异,有效提升产品的品质,且制作过程可靠性高,不会产生扇出线短路的风险。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种TFT阵列基板及显示装置。
背景技术
在显示技术领域,液晶显示装置(Liquid Crystal Display,LCD)等平板显示装置已经逐步取代阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT)显示装置。液晶显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。
现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置,其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。通常液晶显示面板由彩膜(Color Filter,CF)基板、薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)阵列基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板之间的液晶(Liquid Crystal,LC)及密封胶框(Sealant)组成。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子,两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线,通过通电与否来控制液晶分子改变方向,将背光模组的光线折射出来产生画面。
请参阅图1,为现有的一种TFT阵列基板的结构示意图,该TFT阵列基板包括衬底100及设于衬底100上方的数据线金属层200,所述TFT阵列基板具有依次设置的有效显示区(Active Area)110及扇出(fanout)区120,所述数据线金属层200包括于有效显示区110内平行且间隔设置的多条数据线210及设于扇出区120内分别与多条数据线210对应连接的多条扇出线220。扇出线220用于将对应的数据线210与外部的集成芯片(IC)进行连接从而向数据线210传输数据信号。如图1所示,每一扇出线200均包括依次连接的第一直线部221、斜线部222及第二直线部223,每一扇出线200的第一直线部221的一端与对应的数据线210连接,且第一直线部211与对应的数据线210延伸方向相同,多条扇出线220的第二直线部223平行且间隔设置,且与多条数据线210平行,多条数据线210中最外侧两条数据线210之间的距离大于多条扇出线220的第二直线部223中最外侧两个第二直线部223之间的距离,多条扇出线220的斜线部222之间的长度存在差异。随着显示技术不断发展,液晶显示装置的尺寸越来越大,相应地,对于如图1所示结构的TFT阵列基板,其多条扇出线220的斜线部222之间的长度差异也越来越大,导致各条扇出线220的内阻的差异越来越大,进而在利用多条扇出线220向多条数据线210传输数据信号时,各条数据线210接收到数据信号存在时序差异,影响显示品质。为解决这一问题,请参阅图2,现有技术的通常做法是在扇出线220的第一直线部221设计多个拐角2211,以增大多条扇出线220整体的长度及内阻,减少各条扇出线220之间的内阻差异,保证数据信号的输入不出现时序差异。然而受制于现有的曝光制程的工艺,在制作图2所示的扇出线220时,容易在拐角2211处出现曝光异常,导致拐角2211处出现短路现象,反而减小了扇出线220的内阻,很难有效地保证数据信号的稳定输入。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板,能够有效降低对应不同数据线的扇出线之间的内阻差异性,实现数据信号的稳定输入。
本发明的另一目的在于提供一种显示装置,能够有效降低对应不同数据线的扇出线之间的内阻差异性,实现数据信号的稳定输入。
为实现上述目的,本发明首先提供一种TFT阵列基板,包括衬底、设于衬底上的第一金属层及设于第一金属层上方与第一金属层绝缘的第二金属层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的