[发明专利]基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

用于收纳表面形成有金属膜的基板的处理容器；

设置于所述处理容器内的用于载置基板的基板载置台；

处理气体导入机构，其与所述基板载置台相对地设置在所述处理容器内的所述基板载置台的上方，在所述处理容器内向所述基板载置台导入包含有含卤气体的处理气体；

从所述基板载置台的周围进行所述处理容器内的排气的排气机构；

设置在所述处理容器内的呈环状的气流引导部件，其中，在所述气流引导部件的内周部分具有在所述基板载置台的周缘的上方沿着该基板载置台的周向配置的用于将从所述处理气体导入机构导入的处理气体引导到外方的引导部，所述气流引导部件的外周部分安装在所述处理容器的内壁；和

等离子体生成机构，其生成用于在所述处理容器内对所述基板的所述金属膜进行等离子体蚀刻的处理气体的等离子体，

所述气流引导部件具有缝隙，所述缝隙沿着所述基板载置台的周向设置在所述气流引导部件的比所述基板载置台靠外侧的部分，

通过调整所述缝隙的宽度和所述气流引导部件的自所述基板载置台的上表面起的高度中的一者或两者，能够调整经所述缝隙的排气和经所述气流引导部件与所述基板载置台之间的排气的排气平衡，对所述处理气体进行排气。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

所述基板为矩形，所述基板载置台的载置面为与所述基板对应的矩形，所述气流引导部件为画框状。

3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：

所述气流引导部件具有成为所述引导部的内侧部和比所述基板载置台靠外侧的外侧部，在所述内侧部与所述外侧部之间形成有使所述外侧部成为较低位置的台阶。

4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：

所述缝隙形成在所述外侧部。

5.如权利要求3或4所述的基板处理装置，其特征在于：

所述气流引导部件通过将与所述基板的长边对应的一对长边侧部分和与所述基板的短边对应的一对短边侧部分组装而形成。

6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于：

所述长边侧部分和所述短边侧部分通过将任一个板折弯而形成与所述内侧部对应的部分、与所述外侧部对应的部分和与所述台阶对应的部分。

7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于：

所述长边侧部分和所述短边侧部分，以它们的接合部为45°的梯形，且各自的与所述内侧部对应的部分、与所述外侧部对应的部分和与所述台阶对应的部分接合在一起的状态被组装。

8.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于：

形成在所述长边侧部分的所述缝隙和形成在所述短边侧部分的所述缝隙，是以它们的端部没有到达所述长边侧部分与所述短边侧部分的接合部的状态形成的。

9.如权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

所述缝隙的宽度为能够用来调整所述排气平衡，以使得所述基板的周缘部的蚀刻率的抑制程度最优的值。

10.如权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

所述金属膜是含Al膜，所述处理气体包含氯气。

11.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于：

所述含Al膜是Ti/Al/Ti层叠膜。