[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明提供一种基板处理装置。用含卤气体对基板(G)的金属膜进行等离子体蚀刻的基板处理装置(1)具有设置在处理容器(2)内的呈环状的气流引导部件(40)，在其内周部分具有在基板载置台(3)的周缘的上方沿该基板载置台(3)的周向配置的用于将从喷淋头(10)导入的处理气体引导到外方的引导部(40‑1)，其外周部分安装在处理容器(2)的内壁。气流引导部件(40)具有在比基板载置台(3)靠外侧的部分沿其周向设置的缝隙(41)。由此，在对基板的金属膜进行等离子体蚀刻处理时，能够获得进一步的处理的面内均匀性，且能够抑制颗粒向被处理基板的附着。

技术领域

本发明涉及对被处理基板进行等离子体处理的基板处理装置。

背景技术

在液晶显示器(LCD)所代表的平板显示器(FPD)的制造过程中，具有在真空下使用等离子体对形成在玻璃基板上的规定的膜进行蚀刻的等离子体蚀刻处理。

作为对这样的在玻璃基板形成有规定的膜的被处理基板进行等离子体蚀刻处理的基板处理装置，在可保持为真空的腔室内配置作为下部电极发挥作用的基板载置台和与该载置台相对的作为上部电极发挥作用的气体导入用的喷淋头，下部电极与施加高频电力的高频电源连接，对腔室内进行真空排气，经由喷淋头向腔室内导入处理气体，并且对载置台施加高频电力，利用由此形成的处理气体的等离子体对存在于被处理基板的规定的膜进行蚀刻。

但是，在这样的基板处理装置中，虽然具有对例如铝(Al)膜或Ti/Al/Ti层叠膜那样的含Al膜等的金属膜，使用例如氯(Cl₂)气体那样的含卤气体作为处理气体来进行蚀刻的工序，但是，此时由于处理气体的供给量与蚀刻量成比例，因此由于刻蚀负载效应而发生基板的外周部的蚀刻率变得比中央部的蚀刻率高出非常多的现象。即，从等离子体中的蚀刻种(例如氯自由基)来看时，在基板的最外周区域中单位量的蚀刻种要蚀刻的基板面积是中央区域的大约一半，以与向中央区域供给的流量相同的流量向最外周区域供给处理气体时，计算上，最外周区域的蚀刻率为中央区域的蚀刻率的大约2倍。

因此，提出了以围绕载置台上的基板的周围的方式设置整流壁，由此来遮断从被处理基板的外周区域附近向基板外周去的处理气体的流动，减少向基板的最外周区域供给的蚀刻种的量，提高基板面内的处理的均匀性的技术(专利文献1、2)。

另一方面，也提出了在载置台的周缘部的上方沿该载置台的周向设置用于在与周缘部之间将气流引导到外方的气流引导部件，来控制气流，由此抑制刻蚀负载效应以提高基板面内的处理的均匀性的技术(专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-243364号公报

专利文献2：日本特开2000-315676号公报

专利文献3：日本特开2009-212482号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

但是，上述专利文献1、2记载的整流壁妨碍基板的搬入搬出，因此，为了在玻璃基板的搬入搬出时不妨碍搬入搬出，需要使其向上方退避，此时，存在附着于整流部件的堆积物等剥落而成为颗粒落下到被处理基板，将处理基板污染的问题。

另外，专利文献3记载的气流引导部件在其上容易附着伴随蚀刻的生成物和/或蚀刻气体的反应副生成物的堆積物(以下记载为沉积物)，最后同样有可能使颗粒附着于被处理基板。另外，通过专利文献3的气流引导部件，能够一定程度降低因刻蚀负载效应引起的外周部的处理的不均匀，但是近来期望能够实现进一步的处理的面内均匀性。

因此，本发明的技术问题在于提供一种在对基板的金属膜进行等离子体蚀刻处理时，能够进一步获得处理的面内均匀性并且抑制颗粒向被处理基板附着的基板处理装置。

用于解决技术问题的技术方案