[发明专利]一种适用于零电压开通MOSFET的低损耗驱动电路

权利要求书

1.一种适用于零电压开通MOSFET的低损耗驱动电路，其特征在于，所述驱动电路由驱动信号输入端、变压器励磁电路、驱动变压器、充放电控制电路组成，

驱动信号输入端连接变压器励磁电路，所述变压器励磁电路的输出端连接驱动变压器的原边绕组，所述驱动变压器的副边绕组连接充放电控制电路；所述充放电控制电路的输出端口一和输出端口二分别用于与所述零电压开通MOSFET的栅极和源极连接；

所述变压器励磁电路包括：电阻R₁、电阻R₂、二极管D₁、二极管D₂、二极管D₃、PMOS管Q₁、NMOS管Q₂、电源正极Vcc和电源负极GND；

电阻R₁的一端与二极管D₁的阳极连接后与驱动信号输入端相连接；电阻R₁的另一端与二极管D₁的阴极连接后接到PMOS管Q₁的栅极；

电阻R₂的一端与二极管D₂的阴极连接后与驱动信号输入端相连接；电阻R₂的另一端与二极管D₂的阳极连接后接到NMOS管Q₂的栅极；

PMOS管Q₁的源极与电源正极Vcc相连后接至驱动变压器原边绕组T_p的同名端；PMOS管Q₁的漏极与二极管D₃的阳极连接；

NMOS管Q₂的漏极与二极管D₃的阴极相连后接至驱动变压器原边绕组T_p的异名端；NMOS管Q₂的源极与电源负极GND连接；

所述充放电控制电路包括：电阻R₃、电阻R₄、电阻R₅、电阻R₆、二极管D₄、二极管D₅和NMOS管Q₃；

驱动变压器副边绕组T_s的同名端与二极管D₅的阳极以及电阻R₆的一端连接；

驱动变压器副边绕组T_s的异名端分别与电阻R₃的一端、电阻R₄的一端相连接；电阻R₃的另一端与NMOS管Q₃的栅极连接；NMOS管Q₃的漏极与二极管D₅的阴极连接；

NMOS管Q₃的源极与二极管D₄的阳极以及电阻R₅的一端连接，其公共接点连接至R₆的另一端；电阻R₄的另一端与二极管D₄的阴极以及电阻R₅的另一端连接；

所述充放电控制电路，驱动变压器副边绕组T_s的同名端与二极管D₅的阳极以及电阻R₆的连接的公共接点为端口一，R₆的另一端为端口二。

2.根据权利要求1所述的适用于零电压开通MOSFET的低损耗驱动电路，其特征在于，所述驱动信号输入端接入输入驱动信号PWM。

3.根据权利要求2所述的适用于零电压开通MOSFET的低损耗驱动电路，其特征在于，电源正极Vcc电压为12V或15V，电源负极GND电压为0V。

4.根据权利要求2所述的适用于零电压开通MOSFET的低损耗驱动电路，其特征在于，

输入驱动信号PWM为高电平时，变压器励磁电路控制驱动变压器正向磁化，向充放电控制电路传递驱动能量，充放电控制电路控制零电压开通MOSFET导通；

输入驱动信号PWM为低电平时，驱动变压器退磁，充放电控制电路控制零电压开通MOSFET快速截止；

驱动变压器退磁完成后，输入驱动信号PWM为低电平，充放电控制电路控制零电压开通MOSFET保持截止状态。