[发明专利]一种适用于零电压开通MOSFET的低损耗驱动电路

说明书

本发明涉及一种适用于零电压开通MOSFET的低损耗驱动电路，属于驱动电路技术领域，解决了现有技术中零电压开通MOSFET驱动电路存在驱动损耗大、成本高的问题。所述驱动电路由驱动信号输入端、变压器励磁电路、驱动变压器、充放电控制电路组成，其中，驱动信号输入端连接变压器励磁电路，所述变压器励磁电路的输出端连接驱动变压器的原边绕组，所述驱动变压器的副边绕组连接充放电控制电路；所述充放电控制电路的输出端口一和输出端口二分别用于与所述零电压开通MOSFET的栅极和源极连接。本发明所述驱动电路实现简单、驱动损耗小、成本低，尤其适用于诸如LLC等ZVS拓扑结构中MOSFET的隔离驱动要求。

技术领域

本发明涉及驱动电路技术领域，尤其涉及一种适用于零电压开通MOSFET的低损耗驱动电路。

背景技术

随着电力电子技术的发展，开关电源得到了广泛的研究和应用，同时大多数场合也对开关电源提出了更高的要求：更高的开关频率、更高的转换效率、更小的体积、更低的电磁辐射等。

基于功率MOSFET的零电压开通(ZVS)软开关技术是一种能够很好解决上述问题的技术途径，其利用了MOSFET更适合零电压开通这一特点来实现功率开关管的软开关。

现有零电压开通MOSFET的驱动电路存在驱动损耗大、成本高的问题。

发明内容

鉴于上述的分析，本发明旨在提供一种适用于零电压开通MOSFET的低损耗驱动电路，用以解决现有技术中零电压开通MOSFET驱动电路存在驱动损耗大、成本高的问题。

本发明的目的主要是通过以下技术方案实现的：

一种适用于零电压开通MOSFET的低损耗驱动电路，所述驱动电路由驱动信号输入端、变压器励磁电路、驱动变压器、充放电控制电路组成，

驱动信号输入端连接变压器励磁电路，所述变压器励磁电路的输出端连接驱动变压器的原边绕组，所述驱动变压器的副边绕组连接充放电控制电路；所述充放电控制电路的输出端口一和输出端口二分别用于与所述零电压开通MOSFET的栅极和源极连接。

本发明有益效果如下：本申请提供的驱动电路实现简单，能够利用驱动变压器磁恢复的能量实现零电压开通MOSFET的快速关断，驱动损耗小、成本低，尤其适用于如LLC等ZVS拓扑结构中MOSFET的隔离驱动要求。

在上述方案的基础上，本发明还做了如下改进：

进一步，所述驱动信号输入端用于输入驱动信号PWM。

采用上述进一步方案的有益效果是：采用驱动信号PWM，能够满足本领域的驱动信号输入需求。

进一步，所述变压器励磁电路包括：电阻R₁、电阻R₂、二极管D₁、二极管D₂、二极管D₃、PMOS管Q₁、NMOS管Q₂、电源正极Vcc和电源负极GND；

电阻R₁的一端与二极管D₁的阳极连接后与驱动信号输入端相连接；电阻R₁的另一端与二极管D₁的阴极连接后接到PMOS管Q₁的栅极；

电阻R₂的一端与二极管D₂的阴极连接后与驱动信号输入端相连接；电阻R₂的另一端与二极管D₂的阳极连接后接到NMOS管Q₂的栅极；

PMOS管Q₁的源极与电源正极Vcc相连后接至驱动变压器原边绕组T_p的同名端；PMOS管Q₁的漏极与二极管D₃的阳极连接；