[发明专利]一种残胶标准片及其制备方法有效
申请号: | 201810400180.0 | 申请日: | 2018-04-28 |
公开(公告)号: | CN110416103B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 任书铭 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 标准 及其 制备 方法 | ||
1.一种残胶标准片,其特征在于,包括:
基底;
设置于所述基底上的透明薄膜层;
设置于所述基底上的保护层,所述保护层包括多个曝光场,所述曝光场包括呈阵列排布的多个比对单元,所述比对单元包括标准比对单元和残胶比对单元,所述标准比对单元和所述残胶比对单元均包括至少两个不同检测类型的检测区域,每个所述检测区域内均包括至少一个通孔;
所述透明薄膜层设置于所述残胶比对单元的至少一个所述通孔内。
2.根据权利要求1所述的残胶标准片,其特征在于,所述透明薄膜层的光线透过率大于或等于95%。
3.根据权利要求2所述的残胶标准片,其特征在于,所述透明薄膜层的材料为金属氧化物。
4.根据权利要求3所述的残胶标准片,其特征在于,所述透明薄膜层的材料为氧化铟锡或氧化锌,所述保护层材料为无机物或者光敏型聚酰亚胺。
5.根据权利要求1所述的残胶标准片,其特征在于,所述透明薄膜层的厚度为50nm~300nm。
6.根据权利要求1所述的残胶标准片,其特征在于,所述检测区域包括圆形特征比较区域、方形特征比较区域、竖条形特征比较区域和横条形特征比较区域;
所述圆形特征比较区域包括多个圆形通孔,所述方形特征比较区域包括多个正方形通孔,所述竖条形特征比较区域包括多个沿第一方向的第一尺寸大于沿第二方向的第二尺寸的第一矩形通孔,所述横条形特征比较区域包括多个沿第一方向的第三尺寸小于沿第二方向的第四尺寸的第二矩形通孔;其中,所述第一方向与所述第二方向垂直。
7.根据权利要求6所述的残胶标准片,其特征在于,所述圆形特征比较区域包括至少两个圆形子比较区域,不同所述圆形子比较区域中的所述圆形通孔的孔径不同,每一所述圆形子比较区域中的所述圆形通孔呈阵列排布;
所述方形特征比较区域包括至少两个方形子比较区域,不同所述方形子比较区域中的所述正方形通孔的孔径不同,每一所述方形子比较区域中的所述正方形通孔呈阵列排布;
所述竖条形特征比较区域中的多个所述第一矩形通孔呈阵列排布,多个所述第一矩形通孔的所述第一尺寸相等,且沿所述第二方向所述第一矩形通孔的所述第二尺寸逐渐增大;
所述横条形特征比较区域中的多个所述第二矩形通孔呈阵列排布,多个所述第二矩形通孔的所述第四尺寸相等,且沿所述第一方向所述第二矩形通孔的所述第三尺寸逐渐减小。
8.根据权利要求7所述的残胶标准片,其特征在于,每一所述圆形子比较区域中的相邻两个所述圆形通孔的间距和该圆形子比较区域中的所述圆形通孔的孔径相同;
每一所述方形子比较区域中的相邻两个所述正方形通孔的间距和该方形子比较区域中的所述正方形通孔的孔径相同;
每一所述竖条形特征比较区域中,沿所述第二方向,前一个所述第一矩形通孔和后一个所述第一矩形通孔的间距与前一个所述第一矩形通孔的第二尺寸相同;
每一所述横条形特征比较区域中,沿所述第一方向,前一个所述第二矩形通孔和后一个所述第二矩形通孔的间距和后一个所述第二矩形通孔的第三尺寸相同。
9.根据权利要求1所述的残胶标准片,其特征在于,所述透明薄膜层为中间型结构或边缘型结构;
所述中间型结构的透明薄膜层在所述基底的垂直投影与所述通孔在所述基底的垂直投影不交叠;
所述边缘型结构的透明薄膜层与所述通孔内壁贴合。
10.根据权利要求9所述的残胶标准片,其特征在于,所述中间型结构的透明薄膜层的形状为圆形、正方形、矩形或多边形;
所述边缘型结构的透明薄膜层的结构为环形或线形。
11.根据权利要求1所述的残胶标准片,其特征在于,沿同一方向,相邻两个所述比对单元之间的间距与相邻两个所述曝光场之间的间距相同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微电子装备(集团)股份有限公司,未经上海微电子装备(集团)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810400180.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造