[发明专利]一种残胶标准片及其制备方法

说明书

本发明实施例提供了一种残胶标准片及其制备方法，其中残胶标准片包括基底；设置于基底上的透明薄膜层；设置于基底上的保护层，保护层包括多个曝光场，曝光场包括呈阵列排布的多个比对单元，比对单元包括标准比对单元和残胶比对单元，标准比对单元和残胶比对单元均包括至少两个不同检测类型的检测区域，每个检测区域内均包括至少一个通孔；透明薄膜层设置于残胶比对单元的至少一个通孔内。本发明实施例可以制作出与实际的光刻胶残留性质相同的残胶标准片，实现了对AOI设备的残胶检出率以及误检率等性能进行全面的验证。

技术领域

本发明涉及半导体设备检测领域，尤其涉及一种残胶标准片及其制备方法。

背景技术

在集成电路封装领域，由于工艺控制的问题，在生产过程中较易产生超薄的光刻胶残留，其厚度只有百纳米级别，呈现透明性质，此类型的残留光刻胶很难在光刻工艺阶段被检出，这将导致后续电镀工艺发生异常，降低生产效率。因此，封装厂商希望使用AOI(Automatic Optic Inspection，自动光学检测)设备进行残胶检测。在AOI设备的整机调试及日常监控过程中，通常通过对带残余光刻胶样本的残胶标准片进行检测，来对AOI设备的缺陷检出率及误检率等性能进行验证。

然而，现有的残胶标准片缺陷类型单一，不利于对AOI设备的缺陷检出率及误检率进行全面验证。并且，现有的残胶标准片通过与实际生产制程接近的工艺方法进行制作，无法得到百纳米级别厚度的透明残胶，且所得残胶形貌随机，无法精确控制残胶厚度，且透明度也不佳，无法真实反映生产过程中光刻胶残留的性质。

发明内容

本发明提供了一种残胶标准片及其制备方法，以制作出与实际的光刻胶残留性质相同的残胶标准片，实现对AOI设备的残胶检出率以及误检率等性能进行全面的验证。

第一方面，本发明实施例提供了一种残胶标准片，包括：

基底；

设置于所述基底上的透明薄膜层；

设置于所述基底上的保护层，所述保护层包括多个曝光场，所述曝光场包括呈阵列排布的多个比对单元，所述比对单元包括标准比对单元和残胶比对单元，所述标准比对单元和所述残胶比对单元均包括至少两个不同检测类型的检测区域，每个所述检测区域内均包括至少一个通孔；

所述透明薄膜层设置于所述残胶比对单元的至少一个所述通孔内。

可选的，所述透明薄膜层的光线透过率大于或等于95％。

可选的，所述透明薄膜层的材料为金属氧化物。

可选的，所述透明薄膜层的材料为氧化铟锡或氧化锌，所述保护层材料为无机物或者光敏型聚酰亚胺。

可选的，所述透明薄膜层的厚度为50nm～300nm。

可选的，所述检测区域包括圆形特征比较区域、方形特征比较区域、竖条形特征比较区域和横条形特征比较区域；

所述圆形特征比较区域包括多个圆形通孔，所述方形特征比较区域包括多个正方形通孔，所述竖条形特征比较区域包括多个沿第一方向的第一尺寸大于沿第二方向的第二尺寸的第一矩形通孔，所述横条形特征比较区域包括多个沿第一方向的第三尺寸小于沿第二方向的第四尺寸的第二矩形通孔；其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。

可选的，所述圆形特征比较区域包括至少两个圆形子比较区域，不同所述圆形子比较区域中的所述圆形通孔的孔径不同，每一所述圆形子比较区域中的所述圆形通孔呈阵列排布；

所述方形特征比较区域包括至少两个方形子比较区域，不同所述方形子比较区域中的所述正方形通孔的孔径不同，每一所述方形子比较区域中的所述正方形通孔呈阵列排布；