[发明专利]一种薄膜发光二极管的制造方法有效
申请号: | 201810401664.7 | 申请日: | 2018-04-28 |
公开(公告)号: | CN108831878B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 魏晓骏;郭炳磊;吕蒙普;李鹏;胡加辉 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/06;H01L33/26;H01L33/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 发光二极管 制造 方法 | ||
1.一种薄膜发光二极管的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
提供一衬底;
在所述衬底上制作第一导电层、第二导电层、至少一层磷烯、N型电极和P型电极,所述第一导电层和所述第二导电层间隔对称布置在所述衬底上,所述第二导电层与所述第一导电层的结构相同,所述第一导电层与所述衬底构成阶梯结构,所述第一导电层包括至少一个远离所述衬底的阶梯面,所述第一导电层在所述衬底上的正投影为长方形;
所述第一导电层的每个所述阶梯面与处于同一平面内的所述第二导电层的阶梯面上共同设置有一层所述磷烯,所述N型电极和所述P型电极分别设置在所述至少一层磷烯中距离所述衬底最远的一层磷烯上,且所述N型电极和所述P型电极分别位于所述第一导电层和所述第二导电层上方;
所述在所述衬底上制作第一导电层、第二导电层、至少一层磷烯、N型电极和P型电极,包括:
在所述衬底上真空蒸镀一层导电膜;
在所述导电膜上生长一层磷烯;
在所述磷烯上设置N型电极和P型电极;
去除所述导电膜中位于所述N型电极和所述P型电极的正投影以外的区域,得到间隔对称布置在所述衬底上的所述第一导电层和所述第二导电层。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述在所述衬底上制作第一导电层、第二导电层、至少一层磷烯、N型电极和P型电极,包括:
在所述衬底上形成一层导电层,所述导电层与所述衬底构成阶梯结构,所述导电层包括多个远离所述衬底的阶梯面;
在所述导电层的每个阶梯面上生长一层磷烯,以形成多层磷烯;
在所述多层磷烯中距离所述衬底最远的一层磷烯上设置N型电极和P型电极;
对所述导电层进行处理,除掉所述导电层中间的部分,得到间隔对称布置在所述衬底上的所述第一导电层和所述第二导电层。
3.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述在所述衬底上形成一层导电层,包括:
在所述衬底上真空蒸镀一层导电膜;
在所述导电膜的第一表面的I区域设置光刻胶,并采用王水从所述第一表面开始腐蚀,得到第二表面;在所述第二表面的II区域设置光刻胶,并采用王水从所述第二表面开始腐蚀,得到第三表面,重复上述过程,以得到所述导电层,所述第一表面为所述导电膜的远离所述衬底的一面,所述I区域位于所述第一表面的一侧边,所述II区域位于所述第二表面的靠近所述I区域的一侧边。
4.根据权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于,所述制造方法还包括:
对所述衬底进行刻蚀处理,以调节所述衬底的靠近所述至少一层磷烯的一面至所述至少一层磷烯的距离。
5.根据权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于,所述生长一层磷烯,包括:
以磷粉为原料,Ar为载气,在生长温度为200-350℃的环境下,生长所述磷烯。
6.根据权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于,所述第一导电层和所述第二导电层之间的距离为6~9um。
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