[发明专利]一种薄膜发光二极管的制造方法有效
申请号: | 201810401664.7 | 申请日: | 2018-04-28 |
公开(公告)号: | CN108831878B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 魏晓骏;郭炳磊;吕蒙普;李鹏;胡加辉 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/06;H01L33/26;H01L33/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 发光二极管 制造 方法 | ||
本发明公开了一种薄膜发光二极管及其制造方法,属于半导体光电领域。包括衬底、间隔对称布置在衬底上的结构相同的第一导电层和第二导电层、至少一层磷烯、N型电极和P型电极,第一导电层与衬底构成阶梯结构,第一导电层包括至少一个远离衬底的阶梯面,第一导电层在衬底上的正投影为长方形;第一导电层的每个阶梯面与处于同一平面内的第二导电层的阶梯面上共同设置有一层磷烯,N型电极和P型电极分别设置在距离衬底最远的一层磷烯上,且分别位于第一导电层和第二导电层上方。通过在N型电极和P型电极之间施加电压,同时调节每层磷烯到衬底的靠近导电层的一面的距离,即可使得每层磷烯发出不同颜色的可见光,提高了LED的发光良率。
技术领域
本发明涉及半导体光电领域,特别涉及一种薄膜发光二极管的制造方法。
背景技术
LED(Light Emitting Diode,发光二极管)是一种能发光的半导体电子元件。其核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的外延片,在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层,称为PN结。在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。
现有的LED外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的N型层、多量子阱层和P型层,N型层的电子和P型层的空穴在多量子阱层复合发光,一般发出单色光。若想要LED发出其它颜色的光(例如白光),一种方法是在外延生长结束后,使用荧光粉对LED进行封装,使得LED发出的光激发荧光粉最终发出其它颜色的光。另一种方法即设置多层多量子阱层,使得电子和空穴在多层多量子阱层中分别发出不同波段的可见光,最终不同波段的可见光组合起来发出其它颜色的光。
在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:
对于上述第二种方法,由于电子和空穴在多量子阱层中发出何种波段的可见光与多量子阱层中In的含量有关,In的含量与温度有关,而P型层的生长温度较高,因此靠近P型层的多量子阱层中In的含量会受P型层的高温影响,使得电子和空穴在该多量子阱层中发出的可见光的波段不可调,从而降低LED的发光良率。
发明内容
为了解决现有技术中多量子阱层中In的含量受温度影响,使得电子和空穴在该多量子阱层中发出的可见光的波段不可调,从而降低LED的发光良率的问题,本发明实施例提供了一种薄膜发光二极的制造方法。所述技术方案如下:
本发明提供了一种薄膜发光二极管的制造方法,所述制造方法包括:
提供一衬底;
在所述衬底上制作第一导电层、第二导电层、至少一层磷烯、N型电极和P型电极,所述第一导电层和所述第二导电层间隔对称布置在所述衬底上,所述第二导电层与所述第一导电层的结构相同,所述第一导电层与所述衬底构成阶梯结构,所述第一导电层包括至少一个远离所述衬底的阶梯面,所述第一导电层在所述衬底上的正投影为长方形;
所述第一导电层的每个所述阶梯面与处于同一平面内的所述第二导电层的阶梯面上共同设置有一层所述磷烯,所述N型电极和所述P型电极分别设置在所述至少一层磷烯中距离所述衬底最远的一层磷烯上,且所述N型电极和所述P型电极分别位于所述第一导电层和所述第二导电层上方;
所述在所述衬底上制作第一导电层、第二导电层、至少一层磷烯、N型电极和P型电极,包括:
在所述衬底上真空蒸镀一层导电膜;
在所述导电膜上生长一层磷烯;
在所述磷烯上设置N型电极和P型电极;
去除所述导电膜中位于所述N型电极和所述P型电极的正投影以外的区域,得到间隔对称布置在所述衬底上的所述第一导电层和所述第二导电层。
进一步地,所述在所述衬底上制作第一导电层、第二导电层、至少一层磷烯、N型电极和P型电极,包括:
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