[发明专利]像素界定结构及发光器件的制作方法

权利要求书

1.一种像素界定结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

采用亲液性材料在具有图案化的像素电极的基板上制作第一像素界定层；

在所述第一像素界定层上对应所述像素电极的图案区域制作多个盲孔；

采用疏液性材料在所述第一像素界定层上制作第二像素界定层，使所述第二像素界定层覆盖所述第一像素界定层的上表面以及所述盲孔的孔壁和孔底；

去除所述盲孔的孔底下部的所述第二像素界定层及所述第一像素界定层，形成贯穿至所述像素电极的像素坑。

2.如权利要求1所述的像素界定结构的制作方法，其特征在于，所述盲孔的深度为所述第一像素界定层的厚度的20％～80％。

3.如权利要求1所述的像素界定结构的制作方法，其特征在于，所述盲孔的尺寸从孔底至孔口逐渐增大。

4.如权利要求1所述的像素界定结构的制作方法，其特征在于，所述第一像素界定层的厚度为0.5μm～2.5μm，所述第二像素界定层的厚度为0.05μm～0.2μm。

5.如权利要求1所述的像素界定结构的制作方法，其特征在于，所述疏液性材料为超疏水材料。

6.如权利要求5所述的像素界定结构的制作方法，其特征在于，所述超疏水材料为聚二甲基硅氧烷、聚苯乙烯-聚二甲基硅氧烷或全氟烷基乙基甲基丙烯酸酯。

7.如权利要求1～6任一项所述的像素界定结构的制作方法，其特征在于，在所述第一像素界定层上制作所述盲孔的方法为半曝光或纳米压印。

8.如权利要求1～6任一项所述的像素界定结构的制作方法，其特征在于，在所述第一像素界定层上制作第二像素界定层的方法为通过等离子增强化学气相沉积法在所述第一像素界定层上镀制一层表面粗糙的疏液性材料。

9.如权利要求1～6任一项所述的像素界定结构的制作方法，其特征在于，去除所述盲孔下部的所述第二像素界定层及所述第一像素界定层的方式为机械剥离、激光剥离或刻蚀。

10.一种发光器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

按照权利要求1～9任一项所述的像素界定结构的制作方法制作获得所述像素界定结构；

在所述像素坑内制作发光功能层；

在所述发光功能层和所述第二像素界定层上制作顶电极层。