[发明专利]集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路的制造方法，包括：

在一半导体基底的一逻辑区中形成一对逻辑栅极堆叠，且在该半导体基底的一多电压装置区中形成一对装置栅极堆叠，其中该对逻辑栅极堆叠和该对装置栅极堆叠包含一第一虚设栅极材料，且其中该对装置栅极堆叠包含一功函数调整层；

在该对逻辑栅极堆叠上方沉积一第二虚设栅极材料；

以一n型栅极材料从该对逻辑栅极堆叠的一第一逻辑栅极堆叠上方置换该第一虚设栅极材料和该第二虚设栅极材料；

以一p型栅极材料从该对逻辑栅极堆叠的一第二逻辑栅极堆叠上方置换该第一虚设栅极材料和该第二虚设栅极材料；

在该对逻辑栅极堆叠上方沉积一氧化物层；

在该逻辑区和该多电压装置区上方沉积一金属层；

处理该金属层，以在该对装置栅极堆叠的一第一装置栅极堆叠和一第二装置栅极堆叠中形成一金属硅化物层；以及

在该半导体基底的该多电压装置区中形成一虚设晶体管结构，其中该虚设晶体管结构包括一虚设介电层，该虚设介电层上不设置栅极。

2.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，其中该第一虚设栅极材料和该第二虚设栅极材料系由多晶硅形成。

3.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，其中该金属硅化物层的厚度小于

4.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，其中该金属层的处理包含执行一第一快速热退火。

5.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，其中该金属层由镍形成，且该金属硅化物层由硅化镍形成。

6.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，其中该功函数调整层配置以调整该金属硅化物层的功函数。

7.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，其中该功函数调整层的功函数为4.5电子伏特。

8.如权利要求1所述的集成电路的制造方法，其中该处理使得该对装置栅极堆叠成为形成一装置的复数个完全硅化的栅极。

9.一种集成电路，包括：

一半导体基底；

一装置，位于该半导体基底上，其中该装置包括在该半导体基底中的一对源极/漏极区，且还包括一第一完全硅化的栅极和一第二完全硅化的栅极，其中该第一完全硅化的栅极和该第二完全硅化的栅极系通过一功函数调整层从该半导体基底垂直地分开；

一逻辑装置，位于该半导体基底上，横向地从该装置隔开，其中该逻辑装置包括一逻辑栅极；以及

一虚设晶体管结构，位于该半导体基底上，包括一虚设介电层，其中该虚设介电层上不设置栅极。

10.如权利要求9所述的集成电路，其中该第一完全硅化的栅极和该第二完全硅化的栅极具有厚度小于的一金属硅化物层。

11.如权利要求10所述的集成电路，其中该金属硅化物层由硅化镍形成。

12.如权利要求10所述的集成电路，其中该功函数调整层配置成调整该金属硅化物层的功函数。

13.如权利要求9所述的集成电路，其中该功函数调整层的一最低表面接触一阻挡层的一最高表面，且其中该逻辑栅极的逻辑栅极材料的一最低表面接触该阻挡层的该最高表面。

14.如权利要求9所述的集成电路，其中该逻辑栅极系一高介电常数金属栅极堆叠，包括一高介电常数介电层和在该高介电常数介电层上方的一栅极金属材料。

15.如权利要求9所述的集成电路，其中该功函数调整层的功函数为4.5电子伏特(eV)。