[发明专利]处理腔室和递归分配连接器在审
申请号: | 201810410921.3 | 申请日: | 2018-05-02 |
公开(公告)号: | CN108807125A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 王海涛;A·侯塞因;K·拉马斯瓦米;J·A·肯尼;J·路德维格;张纯磊;W·李 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 杨学春;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辅助电极 递归 分配连接器 处理腔室 调谐 等离子体产生 等离子体鞘 方法和设备 长度相等 基板边缘 静电卡盘 接地 馈电线 馈电 竖直 致动 阻抗 相等 电源 邻近 | ||
1.一种处理腔室,所述处理腔室包括:
腔室主体;
基板支撑件,设置在所述腔室主体内;
递归分配组件,设置在所述基板支撑件内;
边缘环组件,设置在所述基板支撑件内并耦接到所述递归分配组件,所述边缘环组件包括导电电极;
绝缘支撑件,定位在所述基板支撑件上,位于所述电极上方;和
第一硅环,设置在所述绝缘支撑件上。
2.如权利要求1所述的处理腔室,其中所述基板支撑件包括静电卡盘,所述静电卡盘具有一个或多个卡紧电极。
3.如权利要求1所述的处理腔室,其中所述边缘环组件包括陶瓷盖和陶瓷基部。
4.如权利要求3所述的处理腔室,其中所述边缘环组件的所述电极设置在所述陶瓷盖与所述陶瓷基部之间。
5.如权利要求1所述的处理腔室,其进一步包括挡环,所述挡环径向向所述边缘环组件、所述导电环和所述绝缘支撑件外延伸。
6.如权利要求1所述的处理腔室,其中所述递归分配组件包括多个发散电连接。
7.如权利要求6所述的处理腔室,其中所述发散电连接具有相等长度。
8.如权利要求1所述的处理腔室,其进一步包括升降机构,所述升降机构设置在所述基板支撑件内,所述升降机构经构造以竖直地致动所述硅环和所述绝缘支撑件。
9.如权利要求1所述的处理腔室,其中所述递归分配连接器包括多个半圆形元件。
10.如权利要求9所述的处理腔室,其中所述多个半圆形元件在轴向上间隔开并由竖直连接件连接。
11.如权利要求9所述的处理腔室,其进一步包括聚四氟乙烯,所述聚四氟乙烯设置在所述多个半圆形元件的周围。
12.如权利要求1所述的处理腔室,其进一步包括电路,所述电路耦接到所述电极,所述电路包括接地调节件、偏压敏感的调节件和源敏感的调节件。
13.如权利要求1所述的处理腔室,其中所述电路包括开关元件,所述开关元件将所述电极耦接到所述接地调节件、所述偏压敏感的调节件和所述源敏感的调节件。
14.一种处理腔室,所述处理腔室包括:
腔室主体;
基板支撑件,设置在所述腔室主体内;
递归分配组件,设置在所述基板支撑件内;
边缘环组件,设置在所述基板支撑件内并耦接到所述递归分配组件,所述边缘环组件包括圆形导电电极;
绝缘支撑件,定位在所述基板支撑件上,位于所述电极上方;和
第一硅环,设置在所述绝缘支撑件上。
15.如权利要求14所述的处理腔室,其中所述边缘环组件包括陶瓷盖和陶瓷基部,并且其中所述陶瓷基部和所述陶瓷盖是圆形的。
16.如权利要求15所述的处理腔室,其中所述电极设置在所述陶瓷基部与所述陶瓷盖之间。
17.如权利要求16所述的处理腔室,其中所述递归分配组件包括多个发散电连接。
18.如权利要求16所述的处理腔室,其中所述递归分配组件包括多个半圆形元件。
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