[发明专利]处理腔室和递归分配连接器

说明书

本公开涉及处理腔室和递归分配连接器。本公开总体涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘的方法和设备。所述设备包括可邻近静电卡盘定位的辅助电极。使用长度相等且阻抗相等的馈电线从电源递归地对辅助电极馈电。辅助电极是能够竖直地致动的，并且可相对于接地或负责等离子体产生的其他频率进行调谐。还提供了使用该设备的方法。

技术领域

本公开的各个方面总体涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘的方法 和设备。

背景技术

在当前半导体制造工业中，特征大小持续减小并且晶体管结构变得越来越复 杂。为了满足处理需求，可使用先进处理控制技术来控制成本并最大化基板和晶粒的良 率。通常，在基板边缘处的晶粒遇到良率问题，诸如经由不对准造成的接触和对硬掩模 的不良的选择性。这些问题的原因之一是在基板边缘附近的等离子体鞘的弯曲。

因此，需要允许在基板边缘处进行精细、局部的工艺调谐的方法和设备。

发明内容

在一方面中，一种处理腔室包括：腔室主体；基板支撑件，设置在腔室主体 内；递归分配组件，设置在基板支撑件内；边缘环组件，设置在基板支撑件内并耦接到 递归分配组件，边缘环组件包括导电电极；绝缘支撑件，定位在基板支撑件上，位于电 极上方；和第一硅环，设置在绝缘支撑件上。

在另一方面中，一种处理腔室包括：腔室主体；基板支撑件，设置在腔室主 体内；递归分配组件，设置在基板支撑件内；边缘环组件，设置在基板支撑件内并耦接 到递归分配组件，边缘环组件包括圆形导电电极；绝缘支撑件，定位在基板支撑件上， 位于电极上方；和第一硅环，设置在绝缘支撑件上。

在另一方面中，一种递归分配组件包括：第一半圆形元件；同轴结构，在第 一半圆形元件的中心部分处耦接到第一半圆形元件；第一竖直耦接件，设置在第一半圆 形元件的第一端部处并且从第一半圆形元件的平面正交地延伸；第二竖直耦接件，设置 在第一半圆形元件的第二端部处并且从第一半圆形元件的平面正交地延伸；第二半圆形 元件，连接到第一竖直耦接件，第一竖直耦接件连接到第二半圆形元件的中心部分；和 第三半圆形元件，连接到第二竖直耦接件，第二竖直耦接件连接到第三半圆形元件的中 心部分。

附图说明

为了可详细地理解本公开的上述特征结构所用方式，在上文简要概述的本公 开的更具体的描述可参考各个方面来进行，一些方面示出在附图中。然而，应当注意， 附图仅示出了示例性方面，并且因此不应视为对范围的限制，因为本公开可允许其他等 效方面。

图1示出了根据本公开的一个方面的处理腔室的剖视图。

图2A-2B是根据本公开的一个方面的支撑组件的示意性剖面图。

图3A-3F是根据本公开的数个方面的配电组件的示意性透视图。

图4A-4C是根据本公开的数个方面的电路配置的示意图。

为了促进理解，已尽可能使用相同附图标记标示附图间共有的相同要素。设 想的是，一个方面的要素和特征可有利地并入其他方面，而无需进一步叙述。

具体实施方式

本公开总体涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘的方法和设备。所述 设备包括可邻近静电卡盘定位的辅助电极。使用长度相等且阻抗相等的馈电线从电源递 归地对辅助电极馈电。辅助电极是能够竖直地致动的，并且可相对于接地或负责等离子 体产生的其他频率进行调谐。还提供了使用该设备的方法。