[发明专利]高压半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种高压半导体装置，其特征在于，包括:

一基底，具有一第一掺杂型态；

一第一井区、一第二井区及一第三井区，设置于该基底内，且该第一井区与该第二井区藉由该第三井区隔开，其中该第一井区与该第二井区具有不同于该第一掺杂型态的一第二掺杂型态，且该第三井区具有该第一掺杂型态；

一源极区及一漏极区，分别位于该第一井区及该第二井区内，其中该源极区及该漏极区具有该第二掺杂型态；

一栅极结构，设置于该基底上，且位于该源极区及该漏极区之间；以及

一第一掺杂区，埋置于该第三井区内，其中该第一掺杂区具有该第二掺杂型态。

2.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一掺杂区与该第一井区及该第二井区隔开。

3.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一掺杂区的一掺杂质包括磷。

4.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一掺杂区的一掺杂浓度介于10¹⁶atoms/cm³至10¹⁷atoms/cm³的范围间。

5.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一掺杂区的一掺杂浓度大于该第一井区的一掺杂浓度。

6.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该栅极结构包括一栅极介电层，其中该栅极介电层设置在该基底上，且由该第一井区上方延伸至该第二井区上方。

7.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一掺杂区的下表面比该第一井区的下表面高。

8.一种制造高压半导体装置的方法，其特征在于，包括:

提供一基底，该基底具有一第一掺杂型态；

形成一第一井区及一第二井区于该基底内，其中该第一井区与该第二井区分隔，且该第一井区与该第二井区具有不同于该第一掺杂型态的一第二掺杂型态；

形成一第三井区于该第一井区与该第二井区之间，其中该第三井区具有该第一掺杂型态；

执行一离子植入工艺，形成一第一掺杂区于该基底内，其中该第一掺杂区埋置于该第三井区内，该第一掺杂区具有该第二掺杂型态；

形成一栅极结构于该基底上，该栅极结构覆盖该第一掺杂区；以及

形成一源极区于该第一井区内及一漏极区于该第二井区内，其中该源极区及该漏极区具有该第二掺杂型态。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，更包括：

在形成该第三井区后，形成一遮罩层覆盖该第一井区及该第二井区，使该第三井区露出；以及

将一第一掺杂质植入该第三井区内，以形成该第一掺杂区。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该第一掺杂质包括磷。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，执行该离子植入工艺的期间，以介于400kev至600kev的范围间的植入能量，将该第一掺杂质植入该第三井区内。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该第一掺杂质的一掺杂剂量为介于10¹²atoms/cm²至10¹³atoms/cm²的范围间。

13.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该遮罩层覆盖一部分的该第三井区。

14.如权利要求8所述的方法，其特征在于，该第一掺杂区的一掺杂浓度大于该第一井区的一掺杂浓度。

15.如权利要求8所述的方法，其特征在于，该第一掺杂区与该第一井区及该第二井区隔开。

16.如权利要求8所述的方法，其特征在于，该第一掺杂区的一掺杂浓度介于10¹⁶atoms/cm³至10¹⁷atoms/cm³的范围间。