[发明专利]高压半导体装置及其形成方法

说明书

本发明提供了一种高压半导体装置及其形成方法。其中，高压半导体装置包含具有第一掺杂型态的基底。上述高压半导体装置亦包含位于基底内的第一井区及第二井区。第一井区与第二井区藉由第三井区隔开。第一井区与第二井区具有不同于第一掺杂型态的第二掺杂型态。第三井区具有第一掺杂型态。上述高压半导体装置更包含源极区及漏极区，分别位于第一井区及第二井区内。源极区及漏极区具有第二掺杂型态。此外，上述高压半导体装置包含位于基底上，且位于源极区及漏极区之间的栅极结构。上述高压半导体装置亦包含埋置于第三井区内的第一掺杂区。第一掺杂区具有第二掺杂型态。

技术领域

本发明关于高压半导体装置，特别是一种具有抗主体效应掺杂区的高压半导体装置及其形成方法。

背景技术

高压半导体装置技术适用于高电压与高功率的集成电路领域。传统高压半导体装置，例如垂直式扩散金氧半导体(vertically diffused metal oxide semiconductor，VDMOS)晶体管及水平扩散金氧半导体(LDMOS)晶体管，主要用于18V以上的元件应用领域。高压装置技术的优点在于符合成本效益，且易相容于其它工艺，已广泛应用于显示器驱动IC元件、电源供应器、电力管理、通讯、车用电子或工业控制等领域中。

高压半导体装置是利用栅极电压来产生通道，并控制流经源极与漏极之间的电流。在传统的高压半导体装置中，为了防止源极与漏极之间的击穿效应(punch-througheffect)，必须延长晶体管的通道长度。然而，如此一来会增加装置的尺寸而使晶片面积增加且会使晶体管的导通电阻(on-resistance，R_on)上升。再者，由于电洞的迁移率低于电子的迁移率，因此P型高压半导体装置的导通电阻会高于N型高压半导体装置的导通电阻而不利于P型高压半导体装置效能的提升。

因此，有必要寻求一种新的高压半导体装置结构以解决上述的问题。

发明内容

本发明的一些实施例关于高压半导体装置。上述高压半导体装置包含基底，具有第一掺杂型态。上述高压半导体装置亦包含第一井区、第二井区及第三井区，设置于基底内。第一井区与第二井区藉由第三井区隔开。第一井区与第二井区具有不同于第一掺杂型态的第二掺杂型态。第三井区具有第一掺杂型态。上述高压半导体装置更包含源极区及漏极区，分别位于第一井区及第二井区内。源极区及漏极区具有第二掺杂型态。此外，上述高压半导体装置包含栅极结构，位于基底上，且位于源极区及漏极区之间。上述高压半导体装置更包含第一掺杂区，埋置于第三井区内。第一掺杂区具有第二掺杂型态。

本发明的一些实施例系关于高压半导体装置的制造方法。上述方法包含提供基底。基底具有第一掺杂型态。上述方法亦包含形成第一井区及第二井区于基底内。第一井区与第二井区分隔，且第一井区与第二井区具有不同于第一掺杂型态的第二掺杂型态。上述方法更包含形成第三井区于第一井区与该第二井区之间。第三井区具有第一掺杂型态。此外，上述方法包含执行离子植入工艺，形成第一掺杂区于基底内。第一掺杂区埋置于第三井区内，且第一掺杂区具有第二掺杂型态。上述方法亦包含形成栅极结构于基底上，栅极结构覆盖第一掺杂区。上述方法更包含形成源极区及漏极区于第一井区与第二井区内。源极区及漏极区具有该第二掺杂型态。

附图说明

图1A-图1G显示根据一些实施例，形成高压半导体装置的各阶段的工艺的剖面示意图。

附图符号说明：

100半导体装置；

102基底；

104井区；

106井区；

108井区；

110井区；

112井区；

114绝缘区；

116绝缘区；