[发明专利]数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器储存装置有效

专利信息
申请号: 201810412993.1 申请日: 2018-05-03
公开(公告)号: CN110442299B 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 吴昭翰 申请(专利权)人: 群联电子股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 中国台湾*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 数据 写入 方法 存储器 控制电路 单元 以及 储存 装置
【权利要求书】:

1.一种数据写入方法,其特征在于,用于存储器储存装置,所述存储器储存装置具有可复写式非易失性存储器模块,所述可复写式非易失性存储器模块包括多个物理抹除单元,所述多个物理抹除单元中的每一个物理抹除单元具有多个记忆胞,所述数据写入方法包括:

根据第一数据量以及第二数据量,判断使用第一程序化模式或第二程序化模式对所述多个记忆胞进行程序化,

其中所述第一数据量为在达到所述可复写式非易失性存储器模块的最大抹除次数前可写入的数据量,所述第二数据量为在判断使用第一程序化模式或第二程序化模式对所述多个记忆胞进行程序化的步骤之后达到所述可复写式非易失性存储器模块的预设可用于写入的最大数据量为止执行写入操作期间所写入的数据量;

当所述第一数据量大于所述第二数据量时,使用所述第一程序化模式对所述多个记忆胞进行程序化;以及

当所述第一数据量不大于所述第二数据量时,使用所述第二程序化模式对所述多个记忆胞进行程序化,

其中以所述第一程序化模式所程序化的记忆胞的储存比特数小于以所述第二程序化模式所程序化的记忆胞的储存比特数。

2.根据权利要求1所述的数据写入方法,其中判断使用所述第一程序化模式或所述第二程序化模式对所述多个记忆胞进行程序化的步骤包括:

当所述第一数据量大于所述第二数据量且所述第一数据量与所述第二数据量的差值大于门槛值时,使用所述第一程序化模式对所述多个记忆胞进行程序化;以及

当所述第一数据量大于所述第二数据量且所述第一数据量与所述第二数据量的差值不大于所述门槛值时,使用所述第二程序化模式对所述多个记忆胞进行程序化。

3.根据权利要求1所述的数据写入方法,还包括:

根据所述多个物理抹除单元的最大平均抹除次数、所述多个物理抹除单元的目前平均抹除次数、所述可复写式非易失性存储器模块的空间大小以及写入放大因子数值计算所述第一数据量。

4.根据权利要求3所述的数据写入方法,其中所述第一数据量为第一数值与所述空间大小的乘积除以所述写入放大因子数值后所获得的商,其中所述第一数值为所述最大平均抹除次数与所述目前平均抹除次数的差值。

5.根据权利要求3所述的数据写入方法,其中所述写入放大因子数值是经由对所述可复写式非易失性存储器模块执行联合电子装置工程委员会所规范的测试操作后所获得。

6.根据权利要求3所述的数据写入方法,其中所述第二数据量为所述可复写式非易失性存储器模块中预设可用于写入的所述最大数据量与所述所述可复写式非易失性存储器模块中目前已写入的第三数据量的差值。

7.根据权利要求6所述的数据写入方法,其中所述可复写式非易失性存储器模块中预设可用于写入的所述最大数据量不大于第二数值,所述第二数值为所述最大平均抹除次数与所述空间大小的乘积除以所述写入放大因子数值后所获得的商。

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