[发明专利]一种制备致密AlQ3薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备致密AlQ₃薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，搭建装置

打开真空室，并在真空室内设置氮化硼坩埚，将粉末状蒸发材料AlQ₃置于坩埚中，所述氮化硼坩埚分为盖子和腔体，所述盖子和腔体通过螺纹紧密连接，所述盖子上设有通孔，所述通孔正对真空室的上基板；

步骤2，对真空室抽真空，直至气压为5×10^-5Pa的超高真空状态，并维持此超高真空状态20分钟，对真空室内壁和AlQ₃样品进行除气，将氮化硼坩埚上的电阻丝接通电流源，对氮化硼坩埚加热，加热过程中电流增加至22-25A,整个过程基板的温度为室温。

2.根据权利要求1所述的一种制备致密AlQ₃薄膜的方法，其特征在于，步骤1中所述盖子和腔体之间设有金属薄片，所述金属薄片上与通孔对应的位置也为通孔。

3.根据权利要求1所述的一种制备致密AlQ₃薄膜的方法，其特征在于，步骤1中氮化硼坩埚为圆柱形，外径为3cm，内径为1.5cm，高为5cm。

4.据权利要求1所述的一种制备致密AlQ₃薄膜的方法，其特征在于，步骤2中蒸镀过程中电流源的电流为22A，蒸发速率为0.5nm/s。

5.根据权利要求4所述的一种制备致密AlQ₃薄膜的方法，其特征在于，步骤2中电流源的电流为22A，在加热过程中按0.5A/min的速率增加到10A，然后按照0.5A/min的速率减小至0。