[发明专利]一种制备致密AlQ3薄膜的方法

说明书

本发明公开了一种制备致密AlQ₃薄膜的方法。打开真空室，并在真空室内设置氮化硼坩埚，将粉末状蒸发材料AlQ₃置于坩埚中。所述氮化硼坩埚分为盖子和腔体，盖子和腔体通过螺纹紧密连接，所述盖子上设有通孔，所述通孔正对真空室的上基板；对真空室抽真空至超高真空状态，并维持此超高真空状态20分钟，对真空室进行除气。对氮化硼坩埚加热至电流22‑25A，此时高温气态AlQ₃材料通过通孔吸附到真空室的上基板上，蒸镀过程中电流源的电流稳定，整个过程基板的温度为室温。本发明制备的有机薄膜具有高聚集密度用此薄膜制备的器件发光产生的热量，在温度不断升高的过程中结晶不会发生改变，有利保持器件的发光性质。

技术领域

本发明属于制备半导体和有机光学薄膜及OLED显示器件领域，具体涉及一种制备致密AlQ₃薄膜的方法。

背景技术

有机电致发光材料取得飞速的发展，针对OLED显示器的三原色都已面世，其发光材料不管在亮度、效率上都能满足要求。但是针对OLED显示器的有机发光材料仍然存在许多问题，比如：成本高、电压稳定性差等。

与有机小分子相比，聚合物具有良好的电热稳定性和机械加工性，且成型方便，工艺简单，所得成品功能多，面积大。但聚合物的缺点是成魔后载流子传输能力较差，器件效率低。为了平衡载流子数目和提高发光效率，人们采用复合有机功能层结构来获得优异的器件性能。

有机发光器件实现产业化，需要解决的问题器件的使用寿命。直接减少器件寿命的因素有两点：一是所用有机材料的性能；二是器件的封装方法，如果器件封装后气密性差，有机材料就会与水蒸汽、氧气等气体发生反应，导致器件失效，现有封装技术是用干燥剂加玻璃封装或者是用聚合物薄膜封装，存在着真空度低，工艺复杂等缺点。

发明内容

本发明的目的是提出一种制备致密AlQ₃薄膜的方法，所得AlQ₃薄膜具有高聚集密度，性能稳定，用此AlQ₃薄膜制备的OLED器件使用寿命长。

为解决现有技术问题，本发明采取的技术方案为：

一种制备致密AlQ₃薄膜的方法，包括以下步骤：

步骤1，搭建装置

打开真空室，并在真空室内设置氮化硼坩埚，将粉末状蒸发材料AlQ₃置于坩埚中，所述氮化硼坩埚分为盖子和腔体，所述盖子和腔体通过螺纹紧密连接，所述盖子上设有通孔，所述通孔正对真空室的上基板；

步骤2，对真空室抽真空，直至气压为5×10^-5Pa的超高真空状态，并维持此超高真空状态20分钟；对真空室内壁和AlQ₃样品进行除气，将氮化硼坩埚上的电阻丝接通电流源，对氮化硼坩埚加热，加热过程中电流增加至22-25A,整个过程基板的温度为室温。

作为改进的是，步骤1中所述盖子和腔体之间设有金属薄片，所述金属薄片上与通孔对应的位置也为通孔。

作为改进的是，步骤1中氮化硼坩埚为圆柱形，外径为3cm，内径为1.5cm，高为5cm。

作为改进的是，步骤2中蒸镀过程中电流源的电流为22A，蒸发速率为0.5nm/s。

进一步改进的是，步骤2中电流源在加热过程中按0.5A/min的速率增加到10A，然后按照0.5A/min的速率减小至0，可以实现对AlQ₃材料进一步除气。

与现有技术相比，本发明的方法具有如下优势：