[发明专利]三维存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器件，其特征在于，包括：

衬底，具有衬底表面；

存储阵列区域，形成在所述衬底上，由导体层和绝缘层交替堆叠形成的等级层堆栈构成；所述存储阵列区域包括核心区域以及分别位于所述核心区域两侧的第一台阶区域和第二台阶区域，所述核心区域用于形成存储单元；所述第一台阶区域和所述第二台阶区域具有阶梯状结构，且关于所述核心区域是非对称的。

2.如权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一台阶区域具有沿X方向延伸的M个第一台阶结构，所述第二台阶区域具有沿X方向延伸的M个第二台阶结构，沿Z方向对所述M个第一台阶结构从1到M顺序编号，沿Z方向以与所述第一台阶结构同样的方式对所述M个第二台阶结构从1到M顺序编号，所述M个第一台阶结构中的第i个第一台阶结构分别与所述M个第二台阶结构中的第i个第二台阶结构和第i+1个第二台阶结构沿Z方向具有高度差；其中，X方向平行于所述衬底表面，Z方向垂直于所述衬底表面，i＝1,…,M。

3.如权利要求2所述的三维存储器件，其特征在于，所述M个第一台阶结构中的每一个第一台阶结构具有沿Y方向延伸的N个第一子台阶，所述M个第二台阶结构中的每一个第二台阶结构具有沿Y方向延伸的N个第二子台阶；其中，Y方向平行于所述衬底表面且与所述X方向垂直。

4.如权利要求3所述的三维存储器件，其特征在于，第i个第一台阶结构的第j个第一子台阶具有厚度h_i1j，第i+1个第二台阶结构的第j个第二子台阶具有厚度h_(i+1)2j，所述第i个第一台阶结构的厚度为

5.如权利要求3所述的三维存储器件，其特征在于，第i个第一台阶结构的第j个第一子台阶具有厚度h_i1j，第i个第二台阶结构的第j个第二子台阶具有厚度h_i2j，第i个第一台阶结构与第i个第二台阶结构沿Z方向具有高度差第i个第一台阶结构与第i+1个第二台阶结构沿Z方向具有高度差

6.如权利要求3所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一子台阶和所述第二子台阶均包含一个导体层和一个绝缘层；所述N个第一子台阶中，靠近所述衬底的第一子台阶沿Y方向延伸超出远离所述衬底的第一子台阶的两端；所述N个第二子台阶中，靠近所述衬底的第二子台阶沿Y方向延伸超出远离所述衬底的第二子台阶的两端。

7.如权利要求6所述的三维存储器件，其特征在于，所述N个第一子台阶中的每一个在X方向上具有相同的宽度；所述N个第二子台阶中的每一个在X方向上具有相同的宽度。

8.如权利要求7所述的三维存储器件，其特征在于，对于所述N个第一子台阶中的每一个，其未被其他第一子台阶覆盖的面积相等。

9.一种三维存储器件的制造方法，包括：

提供衬底，所述衬底具有衬底表面；

在所述衬底上设置由第一绝缘层与第二绝缘层交替堆叠形成的等级层堆栈构成的存储阵列区域；

在所述存储阵列区域定义核心区域和位于所述核心区域两侧的第一台阶区域和第二台阶区域；

在所述第一台阶区域形成多个第一台阶结构，在所述第二台阶区域形成多个第二台阶结构；

所述第一台阶结构和所述第二台阶结构关于所述核心区域是非对称的。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一台阶区域形成多个第一台阶结构，在所述第二台阶区域形成多个第二台阶结构的步骤进一步包括：

形成第一掩模；

通过修整/蚀刻工艺，多次修整所述第一掩模，在所述第一台阶区域形成沿Y方向延伸的N个第一子台阶，在所述第二台阶区域形成沿Y方向延伸的N个第二子台阶；其中，Y方向平行于所述衬底表面。