[发明专利]存储器电路装置及存储器检测方法

权利要求书

1.一种存储器电路装置，其特征在于，所述存储器电路装置包括：

存储单元阵列，包括用于存储数据的存储线和备用存储线；

备用解码器控制电路，用于接收检测装置发送的受损存储线地址，并根据所述受损存储线地址开启对应的备用存储线，以使所述备用存储线代替所述受损存储线存储数据；

其中，所述受损存储线地址是由检测装置在检测所述存储单元阵列中存储线的工作状态时确定的。

2.根据权利要求1所述的存储器电路装置，其特征在于，所述备用解码器控制电路包括：

至少一个备用存储线控制单元，并且每个所述备用存储线控制单元均对应连接一个备用存储线。

3.根据权利要求2所述的存储器电路装置，其特征在于，所述备用存储线控制单元包括：

寄存单元，用于接收所述检测装置发送的受损存储线的地址，并存储所述受损存储线的地址；

使能单元，用于根据开启信号，向比较单元提供使能信号，以使比较单元根据使能信号进行比较，同时向下一个备用存储线控制单元发送占用信号，以开启下一个备用存储线控制单元；

比较单元，用于接收检测装置发送的待修复受损存储线的地址，将所述待修复受损存储线的地址与所述寄存单元中存储的受损存储线的地址相比较，并且当比较结果为一致时，向对应的所述备用存储线发送开启信号。

4.根据权利要求3所述的存储器电路装置，其特征在于，所述寄存单元包括：

第一寄存逻辑与电路，具有接收使能信号的第一输入端及接收锁存信号的第二输入端；

寄存选择器，具有接收地址信号的第一输入端及与所述第一寄存逻辑与电路的输出端连接的第二输入端；

第一寄存反相器，包括与所述寄存选择器的输出端连接的输入端；

第一寄存场效应管和第二寄存场效应管，所述第一寄存场效应管的栅极和所述第二寄存场效应管的栅极均连接到所述第一寄存反相器的输出端，所述第一寄存场效应管的源极接收一高电平信号，所述第一寄存场效应管的漏极与所述第二寄存场效应管的漏极连接，所述第二寄存场效应管的源极接地，所述第二寄存场效应管的漏极连接第二寄存逻辑与电路的第一输入端；

第二寄存逻辑与电路，所述第二寄存逻辑与电路的第二输入端接收重置信号，所述第二寄存逻辑与电路的输出端连接所述寄存选择器的第三输入端；

第二寄存反相器和第三寄存反相器，所述第二寄存反相器和第三寄存反相器串联连接，所述第二寄存反相器的输入端连接所述第二寄存逻辑与电路的输出端，所述第三寄存反相器的输出端形成为所述寄存单元的输出端，

其中，所述第一寄存场效应管包括P型场效应管，所述第二寄存场效应管包括N型场效应管。

5.根据权利要求3所述的存储器电路装置，其特征在于，所述使能单元包括：

第一使能选择器，所述第一使能选择器的第一输入端接收锁存信号，第二输入端接收使能信号，输出端连接第一使能反相器的输入端；

第一使能反相器，具有与所述第一使能场效应管和所述第二使能场效应管的栅极连接的输出端；

第一使能场效应管和第二使能场效应管，所述第一使能场效应管和所述第二使能场效应管的栅极均连接到所述第一使能反相器的输出端，所述第一使能场效应管的源极接收一高电平信号，所述第一使能场效应管的漏极连接所述第二使能场效应管的源极，所述第二使能场效应管的漏极接地；

使能逻辑与电路，所述使能逻辑与电路的第一输入端与所述第一使能场效应管的漏极相连接，所述使能逻辑与电路的第二输入端接收重置信号，所述使能逻辑与电路的输出端连接所述第一使能选择器的第三输入端；

第二使能选择器，所述第二使能选择器的第一输入端与所述使能逻辑与电路的输出端连接，所述第二使能选择器的第二输入端接收占用信号，所述第二使能选择器的输出端连接第二使能反相器的输入端；

第二使能反相器和第三使能反相器，所述第二使能反相器和所述第三使能反相器串联连接，所述第三使能反相器的输出端输出所述占用信号；

其中，所述第一使能场效应管包括P型场效应管，所述第二使能场效应管包括N型场效应管。