[发明专利]一种三维存储结构

权利要求书

1.一种三维存储结构，其特征在于，包括一衬底；所述衬底上形成阵列式的多个凹槽；每个所述凹槽中形成有一个存储单元结构：

每个所述存储单元结构包括：

环形且垂直的柱状沟道层，用于连接一源极和一漏极；

上下相互间隔的多个控制栅极层，且每个所述控制栅极层均环绕所述柱状沟道层；

环形且垂直的柱状隔离层，用于将所述柱状沟道层与每个所述控制栅极层隔离；

其中，每个所述存储单元结构中形成有用于连接所述柱状沟道层的第一接触孔，以及用于分别连接每个所述控制栅极层的每个第二接触孔。

2.根据权利要求1所述的三维存储结构，其特征在于，所述凹槽为圆形凹槽。

3.根据权利要求1所述的三维存储结构，其特征在于，每个所述存储单元结构中的所述控制栅极层之间通过氧化层实现隔离。

4.根据权利要求3所述的三维存储结构，其特征在于，所述氧化层为氧化硅。

5.根据权利要求1所述的三维存储结构，其特征在于，环形且垂直的柱状沟道层中间采用氧化层进行填充。

6.根据权利要求1所述的三维存储结构，其特征在于，所述柱状隔离层由内侧向外侧依次包括：氧化层、氮化层和氧化层。

7.根据权利要求1所述的三维存储结构，其特征在于，所述柱状沟道层在顶部包括一桥接沟道层，所述桥接沟道层用于连接所述柱状沟道层的顶部边缘。

8.根据权利要求7所述的三维存储结构，其特征在于，所述桥接注入层的上表面覆盖有一导电辅助结构。

9.根据权利要求8所述的三维存储结构，其特征在于，所述导电辅助结构由钨金属形成。

10.根据权利要求1所述的三维存储结构，其特征在于，所述控制栅极层均为环形；

每个所述存储单元结构中，所述控制栅极层由上至下直径依次增加；

分别连接每个所述控制栅极层的每个所述第二接触孔形成于对应的所述控制栅极层的边缘。