[发明专利]一种三维存储结构

说明书

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维存储结构，包括一衬底；衬底上形成阵列式的多个凹槽；每个凹槽中形成有一个存储单元结构：每个存储单元结构包括：环形且垂直的柱状沟道层，用于连接一源极和一漏极；上下相互间隔的多个控制栅极层，且每个控制栅极层均环绕柱状沟道层；环形且垂直的柱状隔离层，用于将柱状沟道层与每个控制栅极层隔离；其中，每个存储单元结构中形成有用于连接柱状沟道层的第一接触孔，以及用于分别连接每个控制栅极层的每个第二接触孔；能够避免在形成存储结构的晶圆内形成应力集中的情况，有利于保证晶圆产品的良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维存储结构。

背景技术

随着半导体技术的发展，三维存储技术已经能够实现将存储单元立体化，相较于传统的存储技术，节省空间更大，成本更低，存储容量更高。

但是，由于现有的技术一般会在晶圆上进行多层堆栈，从而形成堆栈的三维存储结构，但是这样很容易在晶圆内形成应力集中，导致晶圆的弯曲应力较大，从而影响后续的沉积和刻蚀工艺，严重时可能导致晶圆破裂。在光刻工艺中，晶圆的弯曲应力较大也会对光刻的效果产生不利影响。

发明内容

针对上述问题，本发明提出了一种三维存储结构，其中，包括一衬底；所述衬底上形成阵列式的多个凹槽；每个所述凹槽中形成有一个存储单元结构：

每个所述存储单元结构包括：

环形且垂直的柱状沟道层，用于连接一源极和一漏极；

上下相互间隔的多个控制栅极层，且每个所述控制栅极层均环绕所述柱状沟道层；

环形且垂直的柱状隔离层，用于将所述柱状沟道层与每个所述控制栅极层隔离；

其中，每个所述存储单元结构中形成有用于连接所述柱状沟道层的第一接触孔，以及用于分别连接每个所述控制栅极层的每个第二接触孔。

上述的三维存储结构，其中，所述凹槽为圆形凹槽。

上述的三维存储结构，其中，每个所述存储单元结构中的所述控制栅极层之间通过氧化层实现隔离。

上述的三维存储结构，其中，所述氧化层为氧化硅。

上述的三维存储结构，其中，环形且垂直的柱状沟道层中间采用第二氧化层进行填充。

上述的三维存储结构，其中，所述柱状隔离层由内侧向外侧依次包括：第三氧化层、第一氮化层和第四氧化层。

上述的三维存储结构，其中，所述柱状沟道层在顶部包括一桥接沟道层，所述桥接沟道层用于连接所述柱状沟道层的顶部边缘。

上述的三维存储结构，其中，所述桥接注入层的上表面覆盖有一导电辅助结构。

上述的三维存储结构，其中，所述导电辅助结构由钨金属形成。

上述的三维存储结构，其中，所述控制栅极层均为环形；

每个所述存储单元结构中，所述控制栅极层由上至下直径依次增加；

分别连接每个所述控制栅极层的每个所述第二接触孔形成于对应的所述控制栅极层的边缘。

有益效果：本发明提出的一种三维存储结构，能够避免在形成存储结构的晶圆内形成应力集中的情况，有利于保证晶圆产品的良率。

附图说明

图1为本发明一实施例中三维存储结构的剖面结构原理图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明。